MBE 坩埚

热解氮化硼 (PBN) 产品的纯度极高，气态原料的纯度更容易控制。通常，PBN 产品的总杂质含量<100 ppm，这意味着纯度不低于 99.99%。这种高纯度 PBN 产品非常适合半导体行业和真空系统。 分子束外延（MBE）是当今世界最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一，是在适当的衬底和条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。 PBN坩埚是MBE工艺中蒸发元素和化合物的最佳容器。 以下是MBE技术的示意图。 注意： 分子束…

我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。 分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。 MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。 如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息，请立即联系我们。