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PBN 通常代表热解氮化硼，由一种称为 CVD 化学气相沉积的工艺生产，具有非常好的抗热冲击性。我们的热解氮化硼始终根据客户对形状和尺寸的具体要求制造。 PBN 对许多行业领域非常有吸引力，例如： 半导体 光伏 石墨涂层 晶体生长坩埚 OCVD (HB-LED) – 加热器组件 高温窑炉组件

陶瓷基板及封装用于高速化、高集成化的半导体封装、电子模块以及高精度、高灵敏度化的传感器模块。 这些应用所需的性能如下： · 尺寸稳定性和平整性 · 支持各种安装形式（引线接合、倒装芯片接合、SMT 等） · 线性膨胀系数接近硅 · 尺寸小，布线精细 · 频率特性 · 高可靠性，包括耐热性和耐湿性 INNOVACERA 提供以下陶瓷基板材料： 1) 96% Al2O3 陶瓷基板 2) 99.6% Al2O3 陶瓷基板 3) AlN 陶瓷基板 4) Si3N4…

自上世纪90年代以来，软磁材料的发展走过了辉煌的一页：非晶、纳米晶、金属玻璃软磁材料、磁粉芯、非晶微晶带材、软磁复合材料等越来越受到环境的重视，世界各国节能减排带来希望，软磁材料在汽车、新能源、信息、消费电子、电力电子等领域的小型化、高性能化具有重要意义，如果您正在寻找制造磁性合金粉末的材料，请随时联系我们获取氮化硼喷嘴。 氮化硼喷嘴采用真空热压烧结而成，材料结构细密，致密度高，耐冲刷、耐磨、耐金属腐蚀，使用过程中不开裂、不变形，是软磁材料粉末生产喷嘴的极佳选择。

磷化铟（InP）生长的关键材料是单晶——热解氮化硼（PBN） 自2002年以来，科学家们联合开发了一种新型半导体材料，可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟（InP）。 InP是一种重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点，与砷化镓半导体材料相比，具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。 InP单晶生长方法主要有高压液封…

PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解，具有纯度高，超过 99.99%，高温下不释放气体杂质等优良特性，这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。 热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性，经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制，而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中，并用厚泡沫保护。