氮化铝是一种具有六方氮化硼结构的共价化合物。氮化铝具有一系列优良特性：
- 导热性能优异，
- 电绝缘性能可靠，
- 介电常数低，
- 介电损耗小，
- 无毒，
- 具有与硅相匹配的热膨胀系数。
氮化铝由于具有优异的导热性能和与硅相匹配的热膨胀系数，已成为电子领域备受关注的材料。
ALN材料不仅是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，而且可以用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，具有广阔的应用前景。
AlN的晶体结构决定了它优异的导热性能和绝缘性能。根据《氮化铝陶瓷的流延成型及烧结体性能研究》的研究，由于组成AlN分子的两种元素原子量较小，晶体结构比较简单，谐调性好，形成的Al-N键键长短、键能较大，共价键的共振有利于声子传热机制，使得AlN材料在导热性能上优于一般的非金属材料。此外，AlN具有高熔点、高硬度和高热导率，以及更好的介电性能。
据《影响AlN陶瓷热导率及抗弯强度因素研究新进展》研究显示，AlN由于热膨胀系数与Si高度匹配而受到广泛关注，而传统衬底材料Al2O3由于热导率低，其值约为AlN陶瓷的1/5，且线膨胀系数与Si不匹配，已不能满足实际需要，而SiC陶瓷衬底的热导率也较高，但SiC的绝缘性较差。AlN作为一种新型高导热陶瓷材料，有望成为电子工业中替代Al2O3、SiC作为陶瓷衬底的优良材料。
| 属性 | 单位 | ALN | AL2O3 | SIC |
| 密度 | g/cm3 | 3.26 | 3.6 | 3.12 |
| 弯曲强度 | MPa | 300-500 | 300-400 | 350-450 |
| 比热 | J / (g·K) | 0.75 | 0.75 | – |
| 热导率（20℃） | W / (m·K) | 170-220 | 20-35 | 50-270 |
| 电阻率（20℃） | Ω·cm | 8.8 | 9.3 | 40 |
| 莫氏硬度 | Gpa | 9 | 9 | 9.2-9.5 |
半导体和新能源市场对AlN需求增长刺激极大。
氮化铝陶瓷由于具有多方面优异的性能，被广泛应用于民用和军用领域。5G时代、新能源汽车时代、人工智能时代的到来，在散热基板、电子设备封装等诸多应用领域对氮化铝陶瓷的需求也随之增加。
全球陶瓷基板市场蓬勃发展，市场规模稳步增长。 AlN陶瓷材料可用作覆铜基板材料、电子封装材料、超高温器件封装材料、大功率器件平台材料、高频器件材料、传感器薄膜材料、光电子器件材料、涂层及功能增强材料等。根据Maxmize Market Research报告，全球陶瓷基板市场规模预计2029年将达到109.6亿美元，年均复合增长率为增长率约为6.57%。
