technical ceramic solutions

产品系列

氮化硅研磨介质球

Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。

Silicon nitride grinding ball

氮化硅研磨球具有化学惰性、低摩擦、低发热、电绝缘、无磁性、高强度和耐腐蚀等优异特性。

与其他研磨介质相比,氮化硅 (Si₃N₄) 研磨球可提高能源效率、减少机械磨损,并实现超细研磨和分散。对于需要高耐磨性、低污染和低磨损的研磨介质,例如半导体浆料、药物分散体、电池材料研磨,它是理想的选择。我们的氮化硅研磨球主要尺寸为 0.2 毫米 – 20 毫米。

氮化硅磨介球尺寸:

规格(mm)
0.2-0.4 0.4-0.6 0.6-0.8 0.8-1.0 1.0-1.2
1.4-1.6 1.6-1.8 1.8-2.0 2.0-2.2 2.2-2.4
2.4-2.6 2.6-2.8 2.8-3.0 3.0-3.5 3.5-4.0
4.0-4.5 4.5-5.0 5.0-5.5 5.5-6.0 6.0-6.5
6.5-7.0 7.0-7.5 7.5-8.0 8.0-8.5 8.5-9.0
9.0-9.5 9.5-10 10.0-10.5 10.5-11.0 11.0-11.5
11.5-12.0 12.0-12.5 12.5-13.0 13.0-13.5 13.5-14.0
14.0-14.5 14.5-15.0 15.0-15.5 15.5-16.0 16.0-16.5
16.5-17.0 17.0-17.5 17.5-18.0 18.0-18.5 18.5-19.0
19.0-19.5 19.5-20.0

氮化硅研磨球材质属性:

项目 单位
氮化硅 % 90±0.5%
氧化钇 % 4±1%
氧化铝 % 4±1%
三氧化二铁 % <0.03%
二氧化硅 % <0.02%
氧化钙 % <0.01%
硬度(HV10) GPa >1300
密度 g/cm3 GPa >3.2
抗压强度 MPA >500

应用:
陶瓷制造
新能源
电子材料研磨
研磨油墨、稀土和先进聚合物
高纯度化学系统研磨

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