根据IDC最新数据，尽管受疫情影响，供应商缩减了生产规模，但可穿戴设备需求依然保持稳定。 2020年下半年，随着众多供应商推出新产品，包括智能手表、智能手环等，预计2020年全球可穿戴设备出货量将达到3.96亿台，较2019年的3.459亿台增长14.5%。IDC预测未来五年复合年增长率（CAGR）为12.4%，到2024年将达到6.371亿台。目前智能可穿戴设备主要应用于运动健康领域，如记录运动…
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热导率是衡量材料传递热量能力的指标。热导率高的材料可以有效地传递热量，并很容易从环境中吸收热量。热导体较差的材料会阻碍热流，从周围环境中缓慢获取热量。下面列出了最重要的导热材料及其值。这些导热率值是平均值，因为导热率会因所用设备和测量环境的不同而变化。导热材料：1. 钻石 – 2000 – 2200 W/m•K2. 银 – 429 W/m•K3. 铜 – 398 W/m•K4. 金 – 315 W…
热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷，纯度为 99.99%，属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺生产，形成固体，所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。它是熔炉、电气、微波和半导体元件的理想材料。热解氮化硼坩埚应用：1. 半导体单晶和 III-V 化合物合成2. 异形和定形石墨涂层3. 用于合成 GaAs、GaP 单晶4. 蒸发包括镓 (Ga) 和铝 (Al) 在内的多种材料，用于外延…
氮化硼具有高强度、高熔点、高韧性、出色的抗热震性、出色的可加工性和低摩擦性，是雾化器喷嘴的理想材料。用于雾化工艺的 BN 喷嘴可确保连续流动，不会堵塞或破损。INNOVACERA 提供以下不同等级的 BN 材料。金属粉末气体雾化的最佳选择应该是 BN99、BN-B 或 BN-D。它是一种先进的陶瓷材料，熔点高，足够坚韧以防止开裂，具有很高的抗热震性，并且易于加工。此外，熔融金属不能“润湿”氮化硼的…
静电微孔陶瓷吸盘是深硅刻蚀机的关键部件，所采用的静电吸附技术是取代传统机械夹持和真空吸附方式的优势技术，在半导体、平板显示、光学等领域有着广泛的应用。静电微孔陶瓷吸盘的特点：1.可同时在大气和真空环境下使用；2.可吸附导体、半导体、绝缘体、多孔材料；3.简化夹持搬运机构，静电吸附能耗低；4.吸附力均匀，吸附时不会出现局部受力；5.对大面积薄膜支撑轻柔，吸附时不会出现划痕、褶皱；6.可快速开合，且在…
热解氮化硼 是一种六方氮化硼。它通过化学气相沉积工艺制成固体，所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。INNOVACERA 通过定制设计生产 PBN。厚度范围为 0.2 至 4 毫米。最大尺寸约为 150×150 毫米或直径 300 毫米。公差通常为 +/-0.05 毫米。如果您要求更高的公差，那么我们可以先评估您的设计。PBN 的特点 * 良好的抗热冲击性* 高绝缘电阻* 不润湿* …
什么是 VCSEL？VCSEL 代表垂直腔面发射激光器，在这种情况下，激光谐振器相对于半导体基板的平面与正交方向对齐，以允许垂直发射光。它由东京工业大学前校长 Iga 博士于 1977 年发明，现在已用于各种领域，包括数据通信和传感器应用。它在蜂窝设备中的面部识别技术中也很突出。与边发射激光器相比，VCSEL 可以利用批量半导体制造工艺进行大批量、低成本生产。 VCSEL可发射的波长范围很广，因此…
PBN 通常代表热解氮化硼，由一种称为 CVD 化学气相沉积的工艺生产，具有非常好的抗热冲击性。我们的热解氮化硼始终根据客户对形状和尺寸的具体要求制造。PBN 对许多行业领域非常有吸引力，例如：半导体光伏石墨涂层晶体生长坩埚OCVD (HB-LED) – 加热器组件高温窑炉组件
陶瓷基板及封装用于高速化、高集成化的半导体封装、电子模块以及高精度、高灵敏度化的传感器模块。这些应用所需的性能如下：· 尺寸稳定性和平整性· 支持各种安装形式（引线接合、倒装芯片接合、SMT 等）· 线性膨胀系数接近硅· 尺寸小，布线精细· 频率特性· 高可靠性，包括耐热性和耐湿性INNOVACERA 提供以下陶瓷基板材料：1) 96% Al2O3 陶瓷基板2) 99.6% Al2O3 陶瓷基板3…
自上世纪90年代以来，软磁材料的发展走过了辉煌的一页：非晶、纳米晶、金属玻璃软磁材料、磁粉芯、非晶微晶带材、软磁复合材料等越来越受到环境的重视，世界各国节能减排带来希望，软磁材料在汽车、新能源、信息、消费电子、电力电子等领域的小型化、高性能化具有重要意义，如果您正在寻找制造磁性合金粉末的材料，请随时联系我们获取氮化硼喷嘴。氮化硼喷嘴采用真空热压烧结而成，材料结构细密，致密度高，耐冲刷、耐磨、耐金属…
磷化铟（InP）生长的关键材料是单晶——热解氮化硼（PBN）自2002年以来，科学家们联合开发了一种新型半导体材料，可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟（InP）。InP是一种重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点，与砷化镓半导体材料相比，具有击穿…
PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解，具有纯度高，超过 99.99%，高温下不释放气体杂质等优良特性，这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性，经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制，而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中，并用厚泡沫保护。