目前，高性能氮化铝陶瓷板在先进封装工艺中作为导热基板，在氮化铝上直接键合铜，进一步设计电路、表面贴装晶体管、功率二极管等。 AlN由于具有良好的热性能和电性能，逐渐成为此类基板设计的首选材料，可用作大功率器件的绝缘基板、VLSI的散热基板和封装基板等。
AlN陶瓷材料用作覆铜基板材料的优势
氮化铝覆铜板具有氮化铝的导热性和机械强度，以及氮化铝的导热性和导电性铜是氮化铝覆铜板的主要材料，因此在航空航天领域有着巨大的应用潜力。此外，“铜-氮化铝-铜”夹层结构可在电子系统模块化、集成化中发挥关键作用，作为功率模块的机械支撑、电气隔离、散热路径等。值得注意的是，在氮化铝覆铜板的应用中，AlN与Cu的界面结合非常重要，界面相决定了陶瓷与金属铜层之间的结合力。氮化铝覆铜板常规的制备工艺包括热压法和直接覆铜法（DBC）。
热压法需通过磁控溅射在AlN表面溅射一层金属层后再引入铜片进行热压，而DBC法需对AlN陶瓷和Cu片进行预氧化，再进行热处理结合。 DBC法制备的基体的剥离强度约为热压法的4倍，且Cu与AlN能够形成更强的结合力，在服役环境恶劣的航空航天领域有更好的应用前景。
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