BN-TiB2坩埚常用于电子束蒸发,该材料具有导电性。
技术数据:
材料:BN+TiB2
粘结剂:B2O3
颜色:灰色
电阻率(室温):300-2000uΩ.cm
工作温度:<1800℃
热导率:>40 W/mK
热膨胀系数:4-6×10^-6K
弯曲强度:>130Mpa
蒸发速率:0.35-0.5 g/min.cm2

BN-TiB2 氮化硼陶瓷坩埚,用于高功率电子束
BN-TiB2坩埚常用于电子束蒸发,该材料具有导电性。
技术数据:
材料:BN+TiB2
粘结剂:B2O3
颜色:灰色
电阻率(室温):300-2000uΩ.cm
工作温度:<1800℃
热导率:>40 W/mK
热膨胀系数:4-6×10^-6K
弯曲强度:>130Mpa
蒸发速率:0.35-0.5 g/min.cm2
BN-TiB2 氮化硼陶瓷坩埚,用于高功率电子束
Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。
Innoveracera的氮化硼粉末采用进口硼酸与三聚氰胺高温反应合成,部分规格氮化硼粉末采用其他优质原料合成。氮化硼(BN)粉末具有杂质少、纯度高、结晶性好、粒径可调、品种多样等优点。Innovacera开发的氮化硼(BN)粉末有单晶片状粉末(0.5μm–100μm)和纳米级球形团聚体两种。
TO-3P 陶瓷散热器(片)和导热垫旨在为先进的热管理解决方案(如高功率应用,特别是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块)提供卓越的热性能。这些散热器具有散热、电气绝缘和机械稳定性的优点,可延长电力电子设备在恶劣环境下的使用寿命。