technical ceramic solutions

金属间化合物(BN-TiB2)电子束坩埚 用于电子束源的蒸发舟

Innovacera 提供一系列用于电子枪的坩埚,并可根据特定需求进行设计和定制。您是否已经选择了最合适的镀铝坩埚?本文详细介绍了如何选择,我们一起往下看。

 

BN-TiB2 坩埚

 

铝会与钨坩埚、钼坩埚和钽坩埚形成合金,这会导致坩埚内部腐蚀,并污染铝。同时,膜层也会受到污染,例如膜层发黑、发暗,甚至出现斑点。铝还会与石墨坩埚中的碳形成黄色的碳化铝,形成的碳化铝会蒸发到样品上,导致膜层变黄。使用氮化硼坩埚、氧化铝坩埚或石英坩埚容易出现电子束散焦问题。主要原因是坩埚不导电,坩埚中过量的电子会聚集,导致电子束相互排斥。使用导电氮化硼坩埚镀铝可以有效解决普通坩埚遇到的问题。铝膜质量高,坩埚使用寿命长。

 

坩埚破裂的常见原因:
第一个原因是升温/保温温度不适用于该材料。第二个原因是用户在沉积完成后关闭电源或电源降温时间过短。这会导致熔体快速凝固,并对坩埚内衬产生应力。

BN-TiB2 坩埚的优势:
1. 可根据要求定制尺寸。
2. 坩埚导电性好,电子束可正常工作。
3. 不会污染铝,镀铝膜纯度高。
4. 推荐用于铝蒸发。
5. 特殊设计可有效降低电子枪功率。
6. 特殊设计使坩埚不易破裂。
7. 金属间化合物坩埚兼具导电性和润滑性,非常适合用于容易沿坩埚侧面向上爬升的材料。

Intermetallic (BN-TiB2) 电子束坩埚

 

INNOVACERA 生产一系列坩埚,您可以根据具体要求和应用领域进行选择。如果您需要任何电子束坩埚,请随时联系我们。

Related Products

  • Conductive boron nitride crucibles

    导电氮化硼坩埚

    INNOVACERA 的导电氮化硼坩埚可用作蚀刻剂和薄膜沉积材料,从而彻底改变了半导体制造。这些高纯度坩埚专为电子束蒸发涂层而设计,可保护设备免受损坏和污染,同时有助于精确制造各种薄膜材料。其独特的导电性和光滑的表面可确保最佳的蒸发率和薄膜质量,使其成为先进半导体制造的首选。

  • High Temperature and High Purity Alumina Crucible

    99%氧化铝坩埚

    99% 氧化铝坩埚具有卓越的耐热性、机械强度和耐热冲击性。 它非常适合各种应用,包括电子元件、正极材料、PZT 材料、发光材料和熔融金属密封装置。 凭借在恶劣环境下的稳定性和出色的电气绝缘性,它是要求苛刻的行业的多功能选择。

  • Boron Nitride Ceramic For Vacuum Furnace

    氮化硼陶瓷制品

    HPBN是一种热压六方氮化硼,具有独特的化学、电气、机械和热学特性组合,适用于一系列高性能要求的工业应用领域。

发送询盘