热压氮化铝

氮化铝 (AlN) 兼具高导热性和强电阻性，使 AlN 成为许多电子应用的绝佳解决方案。与大多数通常也具有隔热性的电绝缘材料不同。AlN 可使电气系统快速散热，以保持最高效率。 由于生产方法不同，氮化铝有两种，一种是直接烧结AlN，另一种是热压AIN，它们的颜色也不同，传统颜色为灰色，热压AIN为黑色。 氮化铝优点： 散热性好，热导率达170W/mK BeO的无毒替代品 热膨胀系数与Si、GaN和GaAs半导体相似 介电强度高 如果您有更多兴…

热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结，工艺难度比常压烧结大。氮化铝纯度可达98.5%（无烧结助剂），热压后密度可达3.3 g/cm3，热导率高，电绝缘性好，导热系数在90 W/(m·K)~210 W/(m·K)之间。   材料硬而脆，加工难度大，搬运或加工过程中易产生划痕，报废率高。     最薄厚度仅为0.75mm，加工难度也比较高。   热压氮化铝加热器盖的应用： - 半导体加热器盖 - 盖板及M…

很高兴与大家分享我们最新推出的产品-最薄厚度0.75mm的热压氮化铝盖板加热器热压氮化铝盖板加热器，可以说，国内首次生产出高难度的热压氮化铝圆片。由于以下原因，制造起来很困难： 1.由于硬度高且易碎，该材料很难加工，因此在处理或加工时很容易出现碎屑或划痕，从而导致废品率很高。无论如何，这是一个成功的开始，我们相信我们可以做得越来越好。 2.热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结，烧结过程比无压烧结更困难。氮化铝纯度高达99.5%（不含任何烧结助剂），热压后密度可达3.3g/cm3，具…

关于热压氮化铝（AlN） 热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结而成，氮化铝纯度高达99.5%（不含任何烧结助剂），热压后密度可达3.3g/cm3，具有优良的导热性和较高的电绝缘性，导热系数可达90W/(m·k)~210W/(m·k)。 高温高压后氮化铝陶瓷机械强度和硬度均优于流延法、干压法和冷等静压法。 热压氮化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀，不会被各种熔融金属和熔融盐酸侵蚀。 氮化铝（AlN）的典型应用 冷却罩、磁共振成像设备 作为高频声表面波器件的基片、大尺寸大功…

热压氮化铝 (AlN) 陶瓷在半导体制造设备中用作晶圆加热板和晶圆固定静电吸盘。 热压 ALN 氮化铝陶瓷的优点： - 高纯度 - 电绝缘体 - 高导热性 - 关键热管理材料 - 减少颗粒物产生 - 耐腐蚀/侵蚀 - 可控电气性能 性能： 性能 单位 值 抗弯强度，MOR (20 °C) MPa 300-460 断裂韧性 MPa m1/2 2.75-6.0 热导率 (20 °C) W/m K 100-170…