热压氮化铝 (AlN) 陶瓷在半导体制造设备中用作晶圆加热板和晶圆固定静电吸盘。
热压 ALN 氮化铝陶瓷的优点：
– 高纯度
– 电绝缘体
– 高导热性
– 关键热管理材料
– 减少颗粒物产生
– 耐腐蚀/侵蚀
– 可控电气性能
性能：
| 性能 | 单位 | 值 |
| 抗弯强度，MOR (20 °C) | MPa | 300-460 |
| 断裂韧性 | MPa m1/2 | 2.75-6.0 |
| 热导率 (20 °C) | W/m K | 100-170 |
| 热膨胀系数 | 1 x 10-6/°C | 3.3-5.5 |
| 最高使用温度 | °C | 800 |
| 介电强度 (6.35mm) | ac-kV/mm | 16.0-19.7 |
| 介电损耗 | 1MHz, 25 °C | 1 x 10-4 至 5 x 10-4 |
| 体积电阻率 (25°C) | Ω-cm | 1013 至 1014 |
典型应用：
– 盖板和 MRI 设备（磁共振成像）
– 高功率探测器、等离子发生器、军用无线电
– 半导体和集成电路的静电吸盘和加热板
– 红外和微波窗口材料
热压氮化铝晶片
Innovacera 的氧化锆增韧氧化铝 (ZTA)基板结合了氧化锆的卓越强度和氧化铝的稳定性，具有优异的机械性能、高反射率和出色的抗热冲击性。这些基板外观呈致密的白色，表面光洁度极佳，可确保在中等功率电子和光学应用中可靠运行。其强大的韧性和精密加工能力使其成为中等功率电源模块、LED 照明系统和精密仪器的理想选择。
Innovacera 的氮化硅 (Si₃N₄)衬底兼具卓越的导热性、高机械强度和优异的断裂韧性，为高功率电子和热管理应用提供了出色的可靠性。这些衬底的热膨胀系数与硅非常接近，并具有优异的抗热冲击性能，即使在极端条件下也能保持稳定的性能。其精密加工的表面和可定制的规格使其成为 IGBT 功率模块、大功率散热器和先进无线模块的理想之选。
Innovacera 的氮化铝 (AlN) 衬底具有卓越的导热性、与硅高度匹配的热膨胀系数以及优异的电绝缘性，是高功率电子应用的理想之选。凭借卓越的机械强度、高击穿电压和出色的抗热冲击性，AlN 衬底确保在严苛环境下也能可靠运行。其精密加工能力和可定制规格使其非常适合用于 IGBT 功率模块、大功率 LED 和先进散热组件。
发送询盘