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热压氮化铝用于半导体制造设备

热压氮化铝 (AlN) 陶瓷在半导体制造设备中用作晶圆加热板和晶圆固定静电吸盘。

热压 ALN 氮化铝陶瓷的优点:

– 高纯度
– 电绝缘体
– 高导热性
– 关键热管理材料
– 减少颗粒物产生
– 耐腐蚀/侵蚀
– 可控电气性能

性能:

性能 单位
抗弯强度,MOR (20 °C) MPa 300-460
断裂韧性 MPa m1/2 2.75-6.0
热导率 (20 °C) W/m K 100-170
热膨胀系数 1 x 10-6/°C 3.3-5.5
最高使用温度 °C 800
介电强度 (6.35mm) ac-kV/mm 16.0-19.7
介电损耗 1MHz, 25 °C 1 x 10-4 至 5 x 10-4
体积电阻率 (25°C) Ω-cm 1013 至 1014

典型应用:
– 盖板和 MRI 设备(磁共振成像)
– 高功率探测器、等离子发生器、军用无线电
– 半导体和集成电路的静电吸盘和加热板
– 红外和微波窗口材料

热压氮化铝

热压氮化铝晶片

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