technical ceramic solutions

热压氮化铝用于半导体制造设备

热压氮化铝 (AlN) 陶瓷在半导体制造设备中用作晶圆加热板和晶圆固定静电吸盘。

热压 ALN 氮化铝陶瓷的优点:

– 高纯度
– 电绝缘体
– 高导热性
– 关键热管理材料
– 减少颗粒物产生
– 耐腐蚀/侵蚀
– 可控电气性能

性能:

性能 单位
抗弯强度,MOR (20 °C) MPa 300-460
断裂韧性 MPa m1/2 2.75-6.0
热导率 (20 °C) W/m K 100-170
热膨胀系数 1 x 10-6/°C 3.3-5.5
最高使用温度 °C 800
介电强度 (6.35mm) ac-kV/mm 16.0-19.7
介电损耗 1MHz, 25 °C 1 x 10-4 至 5 x 10-4
体积电阻率 (25°C) Ω-cm 1013 至 1014

典型应用:
– 盖板和 MRI 设备(磁共振成像)
– 高功率探测器、等离子发生器、军用无线电
– 半导体和集成电路的静电吸盘和加热板
– 红外和微波窗口材料

热压氮化铝

热压氮化铝晶片

Related Products

  • TO-220 Ceramic Insulator Cooling Pads

    TO-220陶瓷绝缘体散热垫

    Innovacera TO-220 陶瓷绝缘体安装在 TO-220 封装功率晶体管和散热器之间,尺寸为 14 x 20 x 1 毫米(0.55 x 0.79 x 0.04 英寸),安装孔直径可为 3.8 毫米或 5 毫米,也可提供无孔和定制孔。每袋 100 个包装,TO-220 陶瓷绝缘体散热垫广泛应用于半导体器件、大功率设备、集成电路、ICMOS 管、IGBT 贴片绝缘、三极管、高频电源通信、机…

  • Alumina Ceramic Insulating Sheet & Aluminum Nitride Ceramic Insulating Sheet

    TO 247陶瓷绝缘片

    Innovacera TO-247 陶瓷绝缘片旨在优化分立半导体(包括 MOSFET、IGBT 和晶体管)的热管理。TO-247 陶瓷绝缘片是一款高性能导热界面产品,由氧化铝陶瓷 (Al₂O₃) 和 氮化铝陶瓷 材料制成,提供两种类型:带 3.7 毫米孔的散热垫和不带孔的散热垫。

  • Silicon nitride grinding ball

    氮化硅研磨介质球

    Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。

发送询盘