关于热压氮化铝（AlN）
热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结而成，氮化铝纯度高达99.5%（不含任何烧结助剂），热压后密度可达3.3g/cm3，具有优良的导热性和较高的电绝缘性，导热系数可达90W/(m·k)~210W/(m·k)。
高温高压后氮化铝陶瓷机械强度和硬度均优于流延法、干压法和冷等静压法。
热压氮化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀，不会被各种熔融金属和熔融盐酸侵蚀。
氮化铝（AlN）的典型应用
冷却罩、磁共振成像设备
作为高频声表面波器件的基片、大尺寸大功率散热绝缘基片
半导体、集成电路静电吸盘、加热盘
红外、微波窗口材料
化合物半导体单晶生长用坩埚
高纯氮化铝薄膜靶材
特点
热导率高
膨胀系数可与半导体硅匹配芯片
高绝缘电阻和耐压强度
低介电常数和低介电损耗
高机械强度
热压烧结最大尺寸。
长500 x宽500 x高< 350 mm
外径500 x高< 500 mm
我们可以根据需要提供热压氮化铝（HPAN）。
订单信息
询价和订单应包括以下信息：
1.尺寸或图纸
2.数量
包装和储存
标准包装：纸箱密封袋。可根据要求提供特殊包装。
典型规格
| 纯度： | >99% |
| 密度： | >3.3 g/cm3 |
| 抗压强度： | 3,350MPa |
| 抗弯强度： | 380MPa |
| 热导率： | 90W/(m·K) |
| 热膨胀系数： | 5.0 x 10-6/K |
| 最高温度： | 1,800°C |
| 体积电阻率： | 7×1012 Ω·cm |
| 介电强度： | 15 kV/mm |
