热压氮化铝

关于热压氮化铝（AlN）

热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结而成，氮化铝纯度高达99.5%（不含任何烧结助剂），热压后密度可达3.3g/cm3，具有优良的导热性和较高的电绝缘性，导热系数可达90W/(m·k)~210W/(m·k)。

高温高压后氮化铝陶瓷机械强度和硬度均优于流延法、干压法和冷等静压法。

热压氮化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀，不会被各种熔融金属和熔融盐酸侵蚀。

氮化铝（AlN）的典型应用

冷却罩、磁共振成像设备

作为高频声表面波器件的基片、大尺寸大功率散热绝缘基片

半导体、集成电路静电吸盘、加热盘

红外、微波窗口材料

化合物半导体单晶生长用坩埚

高纯氮化铝薄膜靶材

特点

热导率高
膨胀系数可与半导体硅匹配芯片
高绝缘电阻和耐压强度
低介电常数和低介电损耗
高机械强度

热压烧结最大尺寸。

长500 x宽500 x高< 350 mm
外径500 x高< 500 mm
我们可以根据需要提供热压氮化铝（HPAN）。

订单信息

询价和订单应包括以下信息：
1.尺寸或图纸
2.数量

包装和储存

标准包装：纸箱密封袋。可根据要求提供特殊包装。

典型规格