陶瓷电路板：为大功率电子产品提供卓越的散热管理

陶瓷电路板具有出色的散热性能和高载流能力，因此广泛应用于高功率应用领域。

陶瓷基板，即陶瓷电路板，由陶瓷基底和金属化电路层组成。

氧化铝陶瓷基板——汽车电子的核心之选

与标准玻璃纤维PCB相比，陶瓷电路板具有更优异的导热性、载流能力、电绝缘性和匹配的热膨胀系数(CTE)。因此，它们被广泛应用于大功率电力电子模块中。

在将铜箔与陶瓷电路板粘合时，通常采用高温或低温共烧、镀铜和直接键合等工艺。这些方法能够有效地使铜箔牢固地粘附在陶瓷基板上，从而确保即使在高温或高湿环境下也能保持高可靠性和稳定的性能。

氮化硅的AMB

在IGBT模块中，陶瓷电路板提供机械支撑、电气互连、电气绝缘和散热功能。

随着电动汽车、高速铁路和智能电网的快速发展，对高压、大功率IGBT模块的需求日益增长。散热不良是IGBT失效的主要原因之一——约70%的失效是由于过热导致键合线脱落或熔化造成的。

陶瓷电路板的关键陶瓷材料：

Si₃N₄（氮化硅）可靠性高；导热系数高；高弯曲强度；热膨胀系数接近碳化硅；非常适合下一代功率器件。

材料	特性
Al₂O₃（氧化铝）	最常用；机械、热学和电学性能良好；性价比高
AlN（氮化铝）	导热系数高（是 Al₂O₃ 的 7-10 倍）；绝缘性能优异；热膨胀系数与硅非常接近

AMB覆铜板

主要制造工艺：

DBC（直接键合铜） – 常用于氧化铝和氮化铝基板

活性金属钎焊 (AMB) – 正日益成为氮化硅 (Si₃N₄) 的主流技术；能够以高可靠性和卓越的散热性能连接厚度达 0.8 毫米的铜箔。

AMB 技术日益普及的原因：

AMB 技术是 DBC 技术的升级版。它使用活性金属焊料（含钛、锆等）在较低温度（<800°C）下将铜箔连接到陶瓷基板上，从而降低内部热应力。