热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结，工艺难度比常压烧结大。氮化铝纯度可达98.5%（无烧结助剂），热压后密度可达3.3 g/cm3，热导率高，电绝缘性好，导热系数在90 W/(m·K)~210 W/(m·K)之间。
材料硬而脆，加工难度大，搬运或加工过程中易产生划痕，报废率高。
最薄厚度仅为0.75mm，加工难度也比较高。
热压氮化铝加热器盖的应用：
– 半导体加热器盖
– 盖板及MRI设备（磁共振成像）
– 高功率探测器 – 等离子发生器 – 军用无线电
– 半导体及集成电路用静电吸盘及加热板。
– 红外和微波窗口材料
材料特性
1. 均匀的微观结构
2. 高热导率（70-180 W/(m·K)），可通过加工条件和添加剂定制
3. 高电阻率
4. 热膨胀系数接近硅
5. 耐腐蚀和侵蚀
6. 优异的抗热震性
7. 该材料在 H2 和 CO2 气氛中高达 980°C 时表现出化学稳定性，在空气中高达 1380°C（表面氧化发生在 780°C 左右；表面层保护块体材料直至 1380°C）。
典型规格：
| 纯度： | >98.5% |
| 密度： | >3.3 g/cm3 |
| 抗压强度： | >3,350MPa |
| 抗弯强度： | 380MPa |
| M灰色和灰黑色： | |
| 热膨胀系数： | 5.0 x 10-6/K |
| 最大温度:: | 1,800°C |
| 体积电阻率： | 7×1012Ω·一种铜氧共晶形式，可与用作基材的铜和氧化物成功结合 |
| 介电强度： | 15 kV/mm |
当需要高导热性和电绝缘性能时，氮化铝 (AlN) 是一种出色的材料，使其成为热管理和电气应用的理想选择。此外，AlN 是半导体行业中氧化铍 (Be) 的常见替代品，因为它在加工时不会对健康造成危害。 AlN 的热膨胀系数和电绝缘性能与硅晶片材料非常接近，使其成为电子应用中的有用材料，因为高温和散热通常是个问题。
AlN 是少数同时提供电绝缘和高导热性的材料之一。这使得 AlN 在高功率电子应用中作为散热器和散热器非常有用。
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