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热压氮化铝加热器盖简介

热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结,工艺难度比常压烧结大。氮化铝纯度可达98.5%(无烧结助剂),热压后密度可达3.3 g/cm3,热导率高,电绝缘性好,导热系数在90 W/(m·K)~210 W/(m·K)之间。

 

材料硬而脆,加工难度大,搬运或加工过程中易产生划痕,报废率高。

 

氮化铝加热器盖

 

最薄厚度仅为0.75mm,加工难度也比较高。

 

热压氮化铝加热器盖的应用:

– 半导体加热器盖

– 盖板及MRI设备(磁共振成像)

– 高功率探测器 – 等离子发生器 – 军用无线电

– 半导体及集成电路用静电吸盘及加热板。

– 红外和微波窗口材料

 

氮化铝加热器盖

 

材料特性

1. 均匀的微观结构

2. 高热导率(70-180 W/(m·K)),可通过加工条件和添加剂定制

3. 高电阻率

4. 热膨胀系数接近硅

5. 耐腐蚀和侵蚀

6. 优异的抗热震性

7. 该材料在 H2 和 CO2 气氛中高达 980°C 时表现出化学稳定性,在空气中高达 1380°C(表面氧化发生在 780°C 左右;表面层保护块体材料直至 1380°C)。

 

典型规格:

纯度: >98.5%
密度: >3.3 g/cm3
抗压强度: >3,350MPa
抗弯强度: 380MPa
M灰色和灰黑色:
热膨胀系数: 5.0 x 10-6/K
最大温度:: 1,800°C
体积电阻率: 7×1012Ω·一种铜氧共晶形式,可与用作基材的铜和氧化物成功结合
介电强度: 15 kV/mm

 

当需要高导热性和电绝缘性能时,氮化铝 (AlN) 是一种出色的材料,使其成为热管理和电气应用的理想选择。 AlN 的热膨胀系数和电绝缘性能与硅晶片材料非常接近,使其成为电子应用中的有用材料,因为高温和散热通常是个问题。

 

氮化铝加热器盖

 

AlN 是少数同时提供电绝缘和高导热性的材料之一。这使得 AlN 在高功率电子应用中作为散热器和散热器非常有用。


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