随着电子元件的发展,对体积更小、性能更佳、能耗更低的元件的需求日益迫切。高密度、高功率、高频元件的发热量可能高达100W/cm²,例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光器元件。这些元件工作时间越长,积累的热量就越多。由于封装空间有限,如果热量不能及时散发,将严重影响元件的寿命、性能和可靠性。因此,在这些行业中引入良好的散热封装设计和高导热陶瓷材料至关重要。
不同应用的一般情况
- 高亮度大功率LED
- 微波无线通信及半导体设备
- 汽车
- 能源
- IGBT模块
- IPM模块
随着电子元件的发展,对体积更小、性能更佳、能耗更低的元件的需求日益迫切。高密度、高功率、高频元件的发热量可能高达100W/cm²,例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光器元件。这些元件工作时间越长,积累的热量就越多。由于封装空间有限,如果热量不能及时散发,将严重影响元件的寿命、性能和可靠性。因此,在这些行业中引入良好的散热封装设计和高导热陶瓷材料至关重要。
不同应用的一般情况
Innovacera 标准氮化铝晶片直径从 50.8 毫米(2 英寸)到 200 毫米(8 英寸);最常用的是 6 英寸氮化铝晶片和 8 英寸 AlN 晶片基板。AlN 晶片可生产出厚度从 0.125 毫米到 1 毫米的各种厚度,侧面可抛光或研磨,也可提供定制尺寸或要求。
BN-AlN陶瓷是由氮化硼和氮化铝粉末烧结而成。它具有优良的电绝缘体,导热性好,强度高,耐热冲击,耐卤素气体等离子体,具有广泛的应用范围,包括半导体生产设备的组件和需要有效散热的组件。
氮化铝陶瓷是一种高性能陶瓷材料,主要由氮化铝(AlN)化合物组成;适用于各种高温、高频和高功率的工程应用。氮化铝陶瓷具有热导性、绝缘性、化学稳定性、机械强度高和低热膨胀系数等特点。可广泛应用于电子封装、激光技术、微波和射频应用、高温环境应用和光学器件等领域。