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为什么选择氮化铝作为电力电子材料?卓越的散热管理解决方案

高功率电子领域,陶瓷晶片发挥着巨大的作用。提到高科技材料,你可能首先想到的是硅、石墨烯,或者埃隆·马斯克这周在推特上提到的其他东西。但在Innovacera,我们想向你介绍一位真正的幕后明星——氮化铝,如果你懂行的话,简称AlN。

 

虽然AlN不像硅那样家喻户晓,但它拥有更胜一筹的优势:高达230 W/m·K的热导率。如果你好奇的话,这可是氧化铝的9.5倍。如此卓越的性能,足以让工程师们惊叹不已,让热管理专家们欣喜若狂。

 

用于电力电子的氮化铝

 

无论是用于 LED 散热、保持激光二极管稳定运行,还是用于高温传感器,氮化铝都能胜任,而且性能卓越。它具有良好的电绝缘性、机械强度(高达 450 MPa,如果您感兴趣的话),并且耐热冲击和耐熔融金属腐蚀。

Innovacera 提供 2 英寸至 12 英寸、厚度从 0.125 毫米到 3 毫米的氮化铝晶圆。想要带凹槽的 6 英寸或 8 英寸晶圆吗?我们有现货。需要定制产品?我们随时倾听您的需求——我们拥有专业的工程师团队。

所以,下次当您设计功率模块、MOSFET,或者只是想要一种不会在高压下开裂的材料时,请记住:氮化铝 (AlN) 不仅仅是一种材料,它更是一种奇迹。现在,厦门就能为您提供优质的氮化铝产品,并始终秉持着“微笑服务”的理念。

缺口深度毫米1.0+0.25/-0/定位边缘1.0+0.25/-0厚度公差μm高级:0.0127 标准: 0.0254

性能 单位 6英寸晶圆 8英寸晶圆
材料 氮化铝 氮化铝
热导率 W/(m·K) >>170

>200

>220

>>170

>200

>220

热膨胀系数 ppm/K (300~1200K) 4~6 4~6
烧结助剂 Y2O3 Y2O3
直径 毫米 150±0.25 200±0.25
缺口角度 90°+5/-2° 90°+5/-2°
厚度 μm 400±15 400±15
TTV μm 高级版:5 标准版: 10
弓形 μm <±30 <±30
翘曲 μm <50 <50
Ra nm <50

 

以下是相关信息参数:

导热性能卓越:该材料具有超高的导热系数(如文档所述,高达 170-230 W/m·K),能够快速散热,是电子设备散热管理的理想材料。

 

高功率性能:该材料属于超宽带隙半导体(带隙约为 6.2 eV),具有极高的击穿场强。这使其能够在高电压和高功率下保持优异的效率。

 

稳定性卓越:该材料在高温、高电压和高频环境下均能保持稳定的性能,并且耐热冲击和化学腐蚀,以其卓越的可靠性赢得了良好的声誉。

 

紫外透射专家:该产品对深紫外 (DUV) 光具有优异的透射率,是制造 LED 和激光器等深紫外光电器件的理想衬底材料。

 

更多详情,欢迎联系 sales@innovacera.com。


FAQ

氮化铝 (AlN) 晶片是一种先进的陶瓷衬底,属于超宽带隙半导体(带隙约为 6.2 eV)。它们对于高功率电子器件至关重要,因为它们具有高达 170-230 W/m·K 的超高导热系数,是传统氧化铝的 9.5 倍。这种卓越的散热性能,结合 450 MPa 的高机械强度,使得 MOSFET 和功率模块等器件能够在高温高压环境下保持极高的可靠性,而不会因压力而开裂。

Innovacera 提供直径从 2 英寸到 12 英寸(包括具有特定缺口角度的精密 6 英寸和 8 英寸选项)以及厚度从 0.125 毫米到 3 毫米的氮化铝 (AlN) 晶圆。是的,这些晶圆可以根据特定需求进行高度定制。由于 AlN 具有优异的深紫外 (DUV) 透射率,并且 Innovacera 提供卓越的公差(例如 TTV ≤ 5μm 和 Bow < ±30μm),这些可定制的晶圆是制造 LED 和激光二极管等专用 DUV 光电器件的理想衬底。

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