氮化硼陶瓷 (BN) 在等离子环境中具有独特的抗溅射性能，即使在强电磁场存在的情况下也不易产生二次离子。抗溅射性能有助于延长组件寿命，而低二次离子产生有助于保持等离子环境的完整性。
因此，氮化硼陶瓷 (BN) 被广泛用于将溅射室中的等离子电弧限制在目标材料上，并防止工艺室中整体组件的腐蚀。
氮化硼（BN）等离子应用的主要产品包括用于制造PVD等离子室的电弧屏蔽和导向器、靶框、屏蔽罩和垫片。
同时，氮化硼陶瓷（BN）还用于以等离子为推进方式的轨道卫星和深空探测器的霍尔效应推力器。
Innovacera可提供纯氮化硼和复合氮化硼，包括BN+Si；BN+ZrO2。
Innovacera 的氧化锆增韧氧化铝 (ZTA)基板结合了氧化锆的卓越强度和氧化铝的稳定性，具有优异的机械性能、高反射率和出色的抗热冲击性。这些基板外观呈致密的白色，表面光洁度极佳，可确保在中等功率电子和光学应用中可靠运行。其强大的韧性和精密加工能力使其成为中等功率电源模块、LED 照明系统和精密仪器的理想选择。
Innovacera 的氮化硅 (Si₃N₄)衬底兼具卓越的导热性、高机械强度和优异的断裂韧性，为高功率电子和热管理应用提供了出色的可靠性。这些衬底的热膨胀系数与硅非常接近，并具有优异的抗热冲击性能，即使在极端条件下也能保持稳定的性能。其精密加工的表面和可定制的规格使其成为 IGBT 功率模块、大功率散热器和先进无线模块的理想之选。
Innovacera 的氮化铝 (AlN) 衬底具有卓越的导热性、与硅高度匹配的热膨胀系数以及优异的电绝缘性，是高功率电子应用的理想之选。凭借卓越的机械强度、高击穿电压和出色的抗热冲击性，AlN 衬底确保在严苛环境下也能可靠运行。其精密加工能力和可定制规格使其非常适合用于 IGBT 功率模块、大功率 LED 和先进散热组件。
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