氮化硼陶瓷 (BN) 在等离子环境中具有独特的抗溅射性能，即使在强电磁场存在的情况下也不易产生二次离子。抗溅射性能有助于延长组件寿命，而低二次离子产生有助于保持等离子环境的完整性。
因此，氮化硼陶瓷 (BN) 被广泛用于将溅射室中的等离子电弧限制在目标材料上，并防止工艺室中整体组件的腐蚀。
氮化硼（BN）等离子应用的主要产品包括用于制造PVD等离子室的电弧屏蔽和导向器、靶框、屏蔽罩和垫片。
同时，氮化硼陶瓷（BN）还用于以等离子为推进方式的轨道卫星和深空探测器的霍尔效应推力器。
Innovacera可提供纯氮化硼和复合氮化硼，包括BN+Si；BN+ZrO2。
Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP（冷等静压）成型3种方式制成，并在1800～2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99％，一般如果直径尺寸大于3mm，我们会选择CIP成型方式。
Innoveracera的氮化硼粉末采用进口硼酸与三聚氰胺高温反应合成，部分规格氮化硼粉末采用其他优质原料合成。氮化硼（BN）粉末具有杂质少、纯度高、结晶性好、粒径可调、品种多样等优点。Innovacera开发的氮化硼（BN）粉末有单晶片状粉末（0.5μm–100μm）和纳米级球形团聚体两种。
TO-3P 陶瓷散热器（片）和导热垫旨在为先进的热管理解决方案（如高功率应用，特别是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块）提供卓越的热性能。这些散热器具有散热、电气绝缘和机械稳定性的优点，可延长电力电子设备在恶劣环境下的使用寿命。
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