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为什么加工氮化铝陶瓷具有挑战性? Company
氮化铝陶瓷主要成分为氮化铝,具有导热率高、绝缘性好、介电常数低等优异性能。氮化铝的晶体结构由四面体单元组成,形成共价键化合物,在六方晶系中呈现尖晶石型结构。氮化铝陶瓷的化学成分为65.81%的铝和34.19%的氮,密度为3.261g/cm3,外观为白色或灰白色,单晶为透明无色。该陶瓷在标准压力下的升华分解温度为2450°C,非常适合高温应用。此外,它们的热膨胀系数范围为4.0至6.0 * 10^-6/°C,其多晶形式的热导率高达260W/(m·K),比氧化铝高出5-8倍,因此在高达2200°C的…
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氮化铝(AlN)陶瓷坩埚 Company
氮化铝陶瓷坩埚由于其导热系数高(≥170W/m.k),可用于热传导达到加热效果,在电子设备中得到广泛的应用,如电子设备的气体雾化等。 氮化铝坩埚还可作为真空蒸发和金属冶炼的容器,特别适合用于铝的真空蒸发坩埚。 由于氮化铝陶瓷在真空中加热,蒸气压低,即使分解也不会对铝造成污染。 在半导体工业中,用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化物,可以完全消除Si对GaAs的污染,并可得到高纯度的产品。 [caption id="attachment_26512" align="alignnone"…
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氮化铝(AlN)陶瓷坩埚 Company
氮化铝陶瓷坩埚由于其导热系数高(≥170W/m.k),可用于导热达到加热效果,广泛应用于电子设备中,如电子设备的气体雾化。 [caption id="attachment_26216" align="alignleft" width="300"] 氮化铝坩埚[/caption] 氮化铝坩埚 还可用作真空蒸发和金属冶炼的容器,特别适用于铝的真空蒸发坩埚。 因为氮化铝陶瓷是在真空中加热,蒸气压低,即使分解也不会污染铝。 在半导体工业中,用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化物,可以彻底消除…