氮化铝陶瓷坩埚由于其导热系数高（≥170W/m.k），可用于热传导达到加热效果，在电子设备中得到广泛的应用，如电子设备的气体雾化等。
氮化铝坩埚还可作为真空蒸发和金属冶炼的容器，特别适合用于铝的真空蒸发坩埚。
由于氮化铝陶瓷在真空中加热，蒸气压低，即使分解也不会对铝造成污染。
在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化物，可以完全消除Si对GaAs的污染，并可得到高纯度的产品。
氮化铝陶瓷坩埚
氮化铝陶瓷其他典型应用
1.光通信器件应用
2.专用冰箱
3.LED行业
4.汽车电子模块
5.高效功率模块
6.高频微波应用
氮化铝陶瓷部件
Innovacera 的氧化锆增韧氧化铝 (ZTA)基板结合了氧化锆的卓越强度和氧化铝的稳定性，具有优异的机械性能、高反射率和出色的抗热冲击性。这些基板外观呈致密的白色，表面光洁度极佳，可确保在中等功率电子和光学应用中可靠运行。其强大的韧性和精密加工能力使其成为中等功率电源模块、LED 照明系统和精密仪器的理想选择。
Innovacera 的氮化硅 (Si₃N₄)衬底兼具卓越的导热性、高机械强度和优异的断裂韧性，为高功率电子和热管理应用提供了出色的可靠性。这些衬底的热膨胀系数与硅非常接近，并具有优异的抗热冲击性能，即使在极端条件下也能保持稳定的性能。其精密加工的表面和可定制的规格使其成为 IGBT 功率模块、大功率散热器和先进无线模块的理想之选。
Innovacera 的氮化铝 (AlN) 衬底具有卓越的导热性、与硅高度匹配的热膨胀系数以及优异的电绝缘性，是高功率电子应用的理想之选。凭借卓越的机械强度、高击穿电压和出色的抗热冲击性，AlN 衬底确保在严苛环境下也能可靠运行。其精密加工能力和可定制规格使其非常适合用于 IGBT 功率模块、大功率 LED 和先进散热组件。
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