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新一代半导体AMB Company
在 H2 环境中进行钎焊(例如银)时,需要极高的耐热性和耐能量循环性,具有独特的耐高低温冲击性,AMB 基板 成为新一代半导体 (SIC) 和新型大功率电子设备的理想封装材料,即使超过 1000 次循环,它仍保持良好的热稳定性。 铜厚度为 0.1-0.5mm,提供非常高的载流量和非常好的散热性。这使得它成为以下应用的首选材料: -IGBT -电源模块 -汽车电力电子 -可再生能源 -空间和工业 -其他 [caption id="attachment_26245" alig…
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氮化铝(AlN)陶瓷坩埚 Company
氮化铝陶瓷坩埚由于其导热系数高(≥170W/m.k),可用于导热达到加热效果,广泛应用于电子设备中,如电子设备的气体雾化。 [caption id="attachment_26216" align="alignleft" width="300"] 氮化铝坩埚[/caption] 氮化铝坩埚 还可用作真空蒸发和金属冶炼的容器,特别适用于铝的真空蒸发坩埚。 因为氮化铝陶瓷是在真空中加热,蒸气压低,即使分解也不会污染铝。 在半导体工业中,用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化物,可以彻底消除…
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半导体行业光刻机用氧化铝陶瓷零件 Company
氧化铝陶瓷零件用于光刻机的旋转部件,处于真空状态,对加工精度要求极高,要求内圆跳动在2微米以内。 精细陶瓷已成为半导体设备的关键零部件。特别是在高端光刻机上,为了达到较高的工艺精度,需要广泛使用功能复合性好、结构稳定性、热稳定性好、尺寸精度高的陶瓷部件。如E-chuck、Vacumm-chuck、Block、磁钢骨架水冷板、反射器、导轨等。 [caption id="attachment_26088" align="alignnone" width="381"] 光刻机用氧化铝陶瓷零…
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用于半导体制造的AlN加热器基板 Company
高导热性使氮化铝成为需要快速响应或高水平均匀温度的绝佳选择。AlN 是一种清洁、无污染的热源,其高导热性可防止开裂。 氮化铝陶瓷加热板 优点: 高温加热器,最高温度可达 1000°C 导热性和均匀性极佳。 坚硬、致密、无孔、高纯度基材。 卓越的防潮和耐化学性。 出色的尺寸和形状能力。 精确、可重复的图案和分布的瓦数。 产品 ALN 加热器基材 材料 铝氮化铝 尺寸 D120*8mm 用途 半导体…
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氧化铍在电子封装领域为何表现突出 Company
在射频和微波电子封装中,人们一直在寻找一种性能优异的绝缘材料,能够承受军事和航空航天应用中极其严格的环境条件。 [caption id="" align="alignleft" width="250"] 氧化铍陶瓷棒[/caption] 其中,BeO 因其高导热性和优异的电性能而脱颖而出。氧化铍的热导率高达 285 W/mk,仅次于 BeO 的第二大陶瓷材料是 AlN,为 170 W/mk,与最常见的 Al2O3 材料相比,其热导率仅为 25-30 W/mk。因此,BeO 陶瓷成为热…