氮化铝陶瓷 (AlN) 是一种特殊的陶瓷材料,兼具高导热性和高电阻率。只有少数陶瓷具有高导热性:例如氧化铍 (BeO) 和立方氮化硼 (c-BN) 几乎是唯一的其他例子。然而,由于 BeO 粉末的毒性,其使用受到限制,而 c-BN 很难生产。
此外,该材料适合用厚膜和薄膜技术进行进一步加工,氮化铝是电信技术应用的理想材料。
因此,氮化铝陶瓷被用作半导体的基板,以及大功率电子零件、外壳和散热器。
氮化铝陶瓷 (AlN) 是一种特殊的陶瓷材料,兼具高导热性和高电阻率。只有少数陶瓷具有高导热性:例如氧化铍 (BeO) 和立方氮化硼 (c-BN) 几乎是唯一的其他例子。然而,由于 BeO 粉末的毒性,其使用受到限制,而 c-BN 很难生产。
此外,该材料适合用厚膜和薄膜技术进行进一步加工,氮化铝是电信技术应用的理想材料。
因此,氮化铝陶瓷被用作半导体的基板,以及大功率电子零件、外壳和散热器。
Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。
Innoveracera的氮化硼粉末采用进口硼酸与三聚氰胺高温反应合成,部分规格氮化硼粉末采用其他优质原料合成。氮化硼(BN)粉末具有杂质少、纯度高、结晶性好、粒径可调、品种多样等优点。Innovacera开发的氮化硼(BN)粉末有单晶片状粉末(0.5μm–100μm)和纳米级球形团聚体两种。
TO-3P 陶瓷散热器(片)和导热垫旨在为先进的热管理解决方案(如高功率应用,特别是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块)提供卓越的热性能。这些散热器具有散热、电气绝缘和机械稳定性的优点,可延长电力电子设备在恶劣环境下的使用寿命。