氮化铝 (AlN) 晶体是一种以 [AIN4] 四面体为结构单元的共价键化合物，具有纤锌矿结构，属于六方晶系。 氮化铝 (AlN) 具有优异的绝缘性能和极高的导热性。此外，氮化铝还具有不易受到铝液、其他熔融金属以及砷化镓侵蚀的特性，尤其对熔融铝液具有优异的耐腐蚀性。 氮化铝衬底的优势 极高的导热性 BeO 的无毒替代品 与 Si、GaN 和 GaAs 半导体类似的低热膨胀性 高介电强度

氮化铝是一种综合性能优异的新型陶瓷材料，具有优异的导热性和抗热震性，可靠的电绝缘性。 由于为液相烧结，晶界处无第二相，晶体结构十分致密，具有良好的抗等离子腐蚀性能。介电常数和介电损耗小，无毒及热膨胀系数与硅匹配等一系列优异特性，被认为是新一代高集成半导体衬底和电子器件封装的理想材料，受到国内外的广泛关注。 主要特点： 导热系数高 抗热震性优良 绝缘性优良，>15KV/mm 耐等离子蚀刻 抗冲击性好 无毒 机械性能优良 …

氮化铝是先进陶瓷中的功能陶瓷之一，具有良好的热机械性能和电性能：导热率高、介电常数低、线性膨胀系数与硅匹配良好、电绝缘性好、密度低、无毒、机械强度高等。随着微电子技术的快速发展，用作基体或封装材料的高T/C AIN越来越受到人们的关注。 随着电子元件的发展，迫切需要更小但性能更好、能耗更低的元件。高密度、高功率、高频率的元件可能产生高达100W/cm2的热量，例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光元件。这些元件工作的时间越长，积累的热量就越多。由于封装空间有限，如果热量不能…

什么是 VCSEL？ VCSEL 代表垂直腔面发射激光器，在这种情况下，激光谐振器相对于半导体基板的平面与正交方向对齐，以允许垂直发射光。它由东京工业大学前校长 Iga 博士于 1977 年发明，现在已用于各种领域，包括数据通信和传感器应用。它在蜂窝设备中的面部识别技术中也很突出。与边发射激光器相比，VCSEL 可以利用批量半导体制造工艺进行大批量、低成本生产。 VCSEL可发射的波长范围很广，因此在各种应用中都有所应用。 VCSEL广泛应用于消费电子产品、汽车产品，以及工业…

INNOVACERA 提供AlN 陶瓷基板。AlN 基板是最受欢迎的陶瓷基板之一，具有优异的耐热性、高机械强度、耐磨性和较小的介电损耗。AlN 基板的表面非常光滑，孔隙率低。氮化铝具有更高的热导率，与氧化铝基板相比，大约高 7 到 8 倍。AlN 基板是一种出色的电子封装材料。 INNOVACERA 提供适用于各种应用的 AlN 基板，包括薄膜和厚膜微电子、高功率和高频电路射频/微波元件以及电容器或电阻器，请联系我们获取更多陶瓷晶片产品信息。 AlN 晶圆特性： …

氮化铝陶瓷 (AlN) 是一种特殊的陶瓷材料，兼具高导热性和高电阻率。只有少数陶瓷具有高导热性：例如氧化铍 (BeO) 和立方氮化硼 (c-BN) 几乎是唯一的其他例子。然而，由于 BeO 粉末的毒性，其使用受到限制，而 c-BN 很难生产。 此外，该材料适合用厚膜和薄膜技术进行进一步加工，氮化铝是电信技术应用的理想材料。 因此，氮化铝陶瓷被用作半导体的基板，以及大功率电子零件、外壳和散热器。

什么是HTCC HTCC（High Temperature Co-fired Ceramic）采用钨、钼、钼、锰等高熔点金属耐热浆料印刷在92~96%氧化铝流陶瓷生坯上，根据热电路设计要求，加入4~8%烧结剂再叠层多层。在1500~1600°C高温下烧成一体。 因此具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性好、热补偿快等优点，且不含铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚等有害物质，符合欧盟RoHS环保要求。 由于烧成温度高，HTCC不能采用金、银、铜等低熔点金…

在晶圆制造中，TTV、弯曲度和翘曲度是决定晶圆平整度和厚度均匀性的重要参数，对关键的芯片制造工艺有重大影响。     A.TTV、弯曲度和翘曲度的定义和测量方法   1.TTV（总厚度变化）   定义： TTV 是指晶圆直径上最大厚度与最小厚度之间的差值，用于评估厚度均匀性。   测量： 在非夹紧状态下测量，计算晶圆中心表面与参考平面之间的最小和最大距离偏差，包括凹凸变化。 …

热电制冷是一种新技术，有可能彻底改变食物、葡萄酒、啤酒或雪茄的冷藏方式。事实上，这是一种与标准压缩机完全不同的制冷方法。 众所周知，陶瓷基板在热电制冷器中起着至关重要的作用，热电制冷器（TEC）的顶部和底部都是陶瓷基板，起到电绝缘、导热和支撑的作用。而TEC最大的问题就是散热。 解决这个问题是首要关注的问题。 由于不同的陶瓷材料具有不同的电子和化学性质。例如，氧化铝的热导率为≧24W/M.K，氮化铝的热导率为≧170W/M.K。 TEC通入电流后，由于Parr效应而产生温差…