氮化铝 (AlN) 是一种先进的技术陶瓷材料,具有非常高的热导率(高达 230 W/m.K)和优异的电绝缘性能的极其有趣的组合。
这使得氮化铝 (AlN) 陶瓷基板广泛应用于电力电子和微电子领域。例如,它用作半导体中的电路载体(基板)或 LED 照明技术或大功率电子设备中的散热器。
氮化铝(AlN)陶瓷基板优势
·高热导率(170-230W/mK),比氧化铝陶瓷基板高出9.5倍。
·热膨胀系数与硅(Si)、GaN和GaAs半导体相似。这有助于实现硅(Si)芯片和热循环的高可靠性。
·高电绝缘性,介电常数更小。
·高机械强度(450MPa)。
·对熔融金属具有优异的耐腐蚀性。
·纯度极高,无毒性。
AlN 陶瓷的材料特性:
特性 | 单位 | AN170 | AN200 | AN230 | AN99 | AN999 |
颜色 | – | 灰色 | 灰色 | 米色 | 灰色 | 米色 |
AlN含量 | – | ≥95% | ≥95% | ≥96% | ≥99% | ≥99.9% |
体积密度 | g/cm3 | ≥3.30 | ≥3.30 | ≥3.28 | ≥3.26 | ≥3.25 |
弯曲强度 | MPa | ≥400 | ≥300 | ≥300 | ≥300 | ≥300 |
压缩强度 | MPa | 2500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
Hv 500g | Gpa | 10.5 | 9.5 | 9 | 9 | 9 |
杨氏模量 | Gpa | 300 | 300 | 300 | 280 | 280 |
热导率(@20°C) | W/m·K | ≥170 | ≥200 | ≥220 | ~100 | ~90 |
比热 | KJ/(Kg·K) | 0.74 | 0.74 | 0.73 | 0.73 | 0.73 |
C.T.E (r.t.-400°C) | 10-6/K | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 |
体积电阻率 | Ω·cm 20°C | ≥1014 | ≥1014 | ≥1013 | ≥1010 | ≥1010 |
介电强度 | KV/mm | ≥16 | ≥16 | ≥15 | ≥15 | ≥15 |
介电常数(@1MHz) | – | 8.6 | 8.6 | 8.6 | 8.6 | 8.6 |
损耗角正切 (@1MHz) | ×10-4 | 5 | 5 | 5 | 5 |
·氮化铝 (AlN) 陶瓷基板应用
·微电子:适用于集成电路和电子设备。
·LED 封装:确保 LED 应用中有效的热量管理。
·电力电子:用于电源模块和高频电路。
·半导体制造:为半导体器件提供稳定的平台。
·Microwave 和 RF 组件:适用于需要高频性能的应用。
·氮化铝 (AlN) 陶瓷基板可用于各种金属化工艺,如薄膜、厚膜、直接粘合铜、活性金属钎焊和直接镀铜。
内部先进加工工艺
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表面处理:
AF = 烧成状态
LBS = 双面研磨(25u” Ra)
PBS = 双面抛光(2u” Ra)
P1S = 单面抛光(2u” Ra)/第二面研磨
还提供改进的公差、表面处理和替代尺寸。
提供标准和定制基板
标准方块:25.4mm、50.8mm、101.6mm 和 114.3mm(1ʺ、2ʺ、 4ʺ、4.5ʺ)
标准圆形:φ101.6mm、φ152.4mm、φ203.2mm、φ304.8mm 和 φ356mm (4ʺ、6ʺ、8ʺ、12ʺ、14ʺ)
可用厚度:0.2~25.4mm (0.008ʺ 至 0.140ʺ)
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