氮化铝 (AlN) 是一种先进的技术陶瓷材料，具有非常高的热导率（高达 230 W/m.K）和优异的电绝缘性能的极其有趣的组合。
这使得氮化铝 (AlN) 陶瓷基板广泛应用于电力电子和微电子领域。例如，它用作半导体中的电路载体（基板）或 LED 照明技术或大功率电子设备中的散热器。
氮化铝（AlN）陶瓷基板优势
·高热导率（170-230W/mK），比氧化铝陶瓷基板高出9.5倍。
·热膨胀系数与硅（Si）、GaN和GaAs半导体相似。这有助于实现硅（Si）芯片和热循环的高可靠性。
·高电绝缘性，介电常数更小。
·高机械强度（450MPa）。
·对熔融金属具有优异的耐腐蚀性。
·纯度极高，无毒性。
AlN 陶瓷的材料特性：
| 特性 | 单位 | AN170 | AN200 | AN230 | AN99 | AN999 |
| 颜色 | – | 灰色 | 灰色 | 米色 | 灰色 | 米色 |
| AlN含量 | – | ≥95% | ≥95% | ≥96% | ≥99% | ≥99.9% |
| 体积密度 | g/cm3 | ≥3.30 | ≥3.30 | ≥3.28 | ≥3.26 | ≥3.25 |
| 弯曲强度 | MPa | ≥400 | ≥300 | ≥300 | ≥300 | ≥300 |
| 压缩强度 | MPa | 2500 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| Hv 500g | Gpa | 10.5 | 9.5 | 9 | 9 | 9 |
| 杨氏模量 | Gpa | 300 | 300 | 300 | 280 | 280 |
| 热导率（@20°C） | W/m·K | ≥170 | ≥200 | ≥220 | ~100 | ~90 |
| 比热 | KJ/(Kg·K) | 0.74 | 0.74 | 0.73 | 0.73 | 0.73 |
| C.T.E (r.t.-400°C) | 10-6/K | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 |
| 体积电阻率 | Ω·cm 20°C | ≥1014 | ≥1014 | ≥1013 | ≥1010 | ≥1010 |
| 介电强度 | KV/mm | ≥16 | ≥16 | ≥15 | ≥15 | ≥15 |
| 介电常数（@1MHz） | – | 8.6 | 8.6 | 8.6 | 8.6 | 8.6 |
| 损耗角正切 (@1MHz) | ×10-4 | 5 | 5 | 5 | 5 |
·氮化铝 (AlN) 陶瓷基板应用
·微电子：适用于集成电路和电子设备。
·LED 封装：确保 LED 应用中有效的热量管理。
·电力电子：用于电源模块和高频电路。
·半导体制造：为半导体器件提供稳定的平台。
·Microwave 和 RF 组件：适用于需要高频性能的应用。
·氮化铝 (AlN) 陶瓷基板可用于各种金属化工艺，如薄膜、厚膜、直接粘合铜、活性金属钎焊和直接镀铜。
内部先进加工工艺
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表面处理：
AF = 烧成状态
LBS = 双面研磨（25u” Ra）
PBS = 双面抛光（2u” Ra）
P1S = 单面抛光（2u” Ra）/第二面研磨
还提供改进的公差、表面处理和替代尺寸。
提供标准和定制基板
标准方块：25.4mm、50.8mm、101.6mm 和 114.3mm（1ʺ、2ʺ、 4ʺ、4.5ʺ)
标准圆形：φ101.6mm、φ152.4mm、φ203.2mm、φ304.8mm 和 φ356mm (4ʺ、6ʺ、8ʺ、12ʺ、14ʺ)
可用厚度：0.2~25.4mm (0.008ʺ 至 0.140ʺ)
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