氮化铝陶瓷基板

氮化铝 (AlN) 是一种先进的技术陶瓷材料，具有非常高的热导率（高达 230 W/m.K）和优异的电绝缘性能的极其有趣的组合。

氮化铝陶瓷

这使得氮化铝 (AlN) 陶瓷基板广泛应用于电力电子和微电子领域。例如，它用作半导体中的电路载体（基板）或 LED 照明技术或大功率电子设备中的散热器。

氮化铝陶瓷基板

氮化铝（AlN）陶瓷基板优势

·高热导率（170-230W/mK），比氧化铝陶瓷基板高出9.5倍。

·热膨胀系数与硅（Si）、GaN和GaAs半导体相似。这有助于实现硅（Si）芯片和热循环的高可靠性。

·高电绝缘性，介电常数更小。

·高机械强度（450MPa）。

·对熔融金属具有优异的耐腐蚀性。

·纯度极高，无毒性。

AlN 陶瓷的材料特性：

特性	单位	AN170	AN200	AN230	AN99	AN999
颜色	–	灰色	灰色	米色	灰色	米色
AlN含量	–	≥95%	≥95%	≥96%	≥99%	≥99.9%
体积密度	g/cm3	≥3.30	≥3.30	≥3.28	≥3.26	≥3.25
弯曲强度	MPa	≥400	≥300	≥300	≥300	≥300
压缩强度	MPa	2500	2000	2000	2000	2000
Hv 500g	Gpa	10.5	9.5	9	9	9
杨氏模量	Gpa	300	300	300	280	280
热导率（@20°C）	W/m·K	≥170	≥200	≥220	~100	~90
比热	KJ/(Kg·K)	0.74	0.74	0.73	0.73	0.73
C.T.E (r.t.-400°C)	10-6/K	4.6	4.6	4.6	4.6	4.6
体积电阻率	Ω·cm 20°C	≥1014	≥1014	≥1013	≥1010	≥1010
介电强度	KV/mm	≥16	≥16	≥15	≥15	≥15
介电常数（@1MHz）	–	8.6	8.6	8.6	8.6	8.6
损耗角正切 (@1MHz)	×10-4	5	5	5	5

·氮化铝 (AlN) 陶瓷基板应用

·微电子：适用于集成电路和电子设备。

·LED 封装：确保 LED 应用中有效的热量管理。

·电力电子：用于电源模块和高频电路。

·半导体制造：为半导体器件提供稳定的平台。

·Microwave 和 RF 组件：适用于需要高频性能的应用。

·氮化铝 (AlN) 陶瓷基板可用于各种金属化工艺，如薄膜、厚膜、直接粘合铜、活性金属钎焊和直接镀铜。

氮化铝薄膜金属化产品图片

内部先进加工工艺

氮化铝晶圆基板

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