功率电子器件，例如 MOSFET、GTO、IGBT、IGCT 等，现在被广泛用于高效地为家用电子产品、工业驱动器、电信、运输、电网和许多其他应用提供电力。
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在功率电子器件中，与传统冷却系统设计相比，芯片上散热器技术可以将热源（芯片）和散热器之间的热阻降低（取决于设计）高达四分之一。
因此，陶瓷散热器可以实现以前无法达到的功率密度。
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陶瓷散热器的最佳材料是氮化铝，其导热系数高于170W/mk，以下是材料特性。
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| 特性 | 值 | |
| 体积密度(g/cm3) | >=3.3 | |
| 吸水率 | 0 | |
| 弯曲强度(MPa) | >300 | |
| 维氏硬度（Gpa） | 11 | |
| 弹性模量（Gpa） | >200 | |
| 介电常数（1MHz） | 8.8 | |
| 线性热膨胀系数 | /℃，5℃/min, 20-300℃ | 4.6*10-6 |
| 热导率 | 30摄氏度 | >=170 |
| 体积电阻率(Ω.cm) | 20摄氏度 | >1014 |
| 300 摄氏度 | 109 | |
| 500 摄氏度 | 107 | |
| 介电强度（KV/mm） | 15-20 | |
| 备注：该值仅供参考，不同使用条件会有少许差异。 | ||
在工厂设施中，我们备有多款标准尺寸与厚度的氮化铝陶瓷基板，以满足多样化应用需求。截至6月26日，以下是部分常用尺寸当前库存的简要概览： 尺寸 (mm) 厚度 (mm) 库存 (件) 138×190 1 480 0.76 170 0.5 1,…
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