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影响AlN陶瓷基板热导率的因素有哪些?

首先我们来概述一下氮化铝陶瓷
氮化铝是一种共价键化合物,结构稳定,为六方纤锌矿结构,无其它同型物的存在。其晶体结构是以铝原子和相邻氮原子为结构单元经歧化反应生成的AlN4四面体;空间群为P63mc,属六方晶系。

氮化铝陶瓷的主要特点:
(1)热导率高,为氧化铝陶瓷的5-10倍;
(2)热膨胀系数(4.3×10-6/℃)与半导体硅材料(3.5-4.0×10-6/℃)相当;
(3)力学性能好;
(4)电性能优良,具有极高的绝缘电阻和较低的介电损耗;
(5)可进行多层布线,实现封装的高密度化、小型化;(6)无毒,有利于环保。

影响AlN陶瓷热导率的种种因素
在300K时,AlN单晶材料的理论热导率高达319W/(m·K),但在实际生产过程中,由于材料的纯度、内部缺陷(位错、孔隙、杂质、晶格畸变)、晶粒取向、烧结工艺等多种因素的影响,热导率也受其影响,往往低于理论值。

综上所述:
在复合体系中选择合适的烧结助剂,可以实现AlN较低的烧结温度和有效净化晶界,获得热导率较高的AlN。

影响AlNCeramic基板导热性的因素有哪些

影响AlNCeramic基板导热性的因素有哪些

AlN 晶体结构示意图

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