首先我们来概述一下氮化铝陶瓷
氮化铝是一种共价键化合物，结构稳定，为六方纤锌矿结构，无其它同型物的存在。其晶体结构是以铝原子和相邻氮原子为结构单元经歧化反应生成的AlN4四面体；空间群为P63mc，属六方晶系。
氮化铝陶瓷的主要特点：
（1）热导率高，为氧化铝陶瓷的5-10倍；
（2）热膨胀系数（4.3×10-6/℃）与半导体硅材料（3.5-4.0×10-6/℃）相当；
（3）力学性能好；
（4）电性能优良，具有极高的绝缘电阻和较低的介电损耗；
（5）可进行多层布线，实现封装的高密度化、小型化；（6）无毒，有利于环保。
影响AlN陶瓷热导率的种种因素
在300K时，AlN单晶材料的理论热导率高达319W/(m·K)，但在实际生产过程中，由于材料的纯度、内部缺陷(位错、孔隙、杂质、晶格畸变)、晶粒取向、烧结工艺等多种因素的影响，热导率也受其影响，往往低于理论值。
综上所述：
在复合体系中选择合适的烧结助剂，可以实现AlN较低的烧结温度和有效净化晶界，获得热导率较高的AlN。
影响AlNCeramic基板导热性的因素有哪些
AlN 晶体结构示意图
Innovacera 的氧化锆增韧氧化铝 (ZTA)基板结合了氧化锆的卓越强度和氧化铝的稳定性，具有优异的机械性能、高反射率和出色的抗热冲击性。这些基板外观呈致密的白色，表面光洁度极佳，可确保在中等功率电子和光学应用中可靠运行。其强大的韧性和精密加工能力使其成为中等功率电源模块、LED 照明系统和精密仪器的理想选择。
Innovacera 的氮化硅 (Si₃N₄)衬底兼具卓越的导热性、高机械强度和优异的断裂韧性，为高功率电子和热管理应用提供了出色的可靠性。这些衬底的热膨胀系数与硅非常接近，并具有优异的抗热冲击性能，即使在极端条件下也能保持稳定的性能。其精密加工的表面和可定制的规格使其成为 IGBT 功率模块、大功率散热器和先进无线模块的理想之选。
Innovacera 的氮化铝 (AlN) 衬底具有卓越的导热性、与硅高度匹配的热膨胀系数以及优异的电绝缘性，是高功率电子应用的理想之选。凭借卓越的机械强度、高击穿电压和出色的抗热冲击性，AlN 衬底确保在严苛环境下也能可靠运行。其精密加工能力和可定制规格使其非常适合用于 IGBT 功率模块、大功率 LED 和先进散热组件。
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