影响AlN陶瓷基板热导率的因素有哪些？

首先我们来概述一下氮化铝陶瓷
氮化铝是一种共价键化合物，结构稳定，为六方纤锌矿结构，无其它同型物的存在。其晶体结构是以铝原子和相邻氮原子为结构单元经歧化反应生成的AlN4四面体；空间群为P63mc，属六方晶系。

氮化铝陶瓷的主要特点：
（1）热导率高，为氧化铝陶瓷的5-10倍；
（2）热膨胀系数（4.3×10-6/℃）与半导体硅材料（3.5-4.0×10-6/℃）相当；
（3）力学性能好；
（4）电性能优良，具有极高的绝缘电阻和较低的介电损耗；
（5）可进行多层布线，实现封装的高密度化、小型化；（6）无毒，有利于环保。

影响AlN陶瓷热导率的种种因素
在300K时，AlN单晶材料的理论热导率高达319W/(m·K)，但在实际生产过程中，由于材料的纯度、内部缺陷(位错、孔隙、杂质、晶格畸变)、晶粒取向、烧结工艺等多种因素的影响，热导率也受其影响，往往低于理论值。

综上所述：
在复合体系中选择合适的烧结助剂，可以实现AlN较低的烧结温度和有效净化晶界，获得热导率较高的AlN。