氮化铝具有良好的抗氧化性、耐化学性、抗热震性、机械强度、介电常数低、热膨胀系数与硅晶体相近、热导率高的特点,在机械等应用领域有广泛的应用。

氮化铝陶瓷应用
下面是详细性能:
热性能
AlN的理论热导率为320W/m•K,制备的多晶AlN的热导率一般为100~260W/m•K,室温热导率是Al2O3的10~15倍,接近BeO(理论热导率为350W/m•K),当温度高于200℃时,热导率导电性优于氧化铍;在25~400℃范围内,纯AIN的热膨胀系数为4.4×10-6K-1,与硅的热膨胀系数(3.4×10-6K-1)相近。
电性能
纯AIN的室温阴极率大于1014Ω•cm,是良好的绝缘材料;介电常数约为8.0(1MHz),与Al2O3相当;介电损耗为10-4(1MHz),介电耐压为14KV•mm-1,机电耦合系数高(0.8%),有压电性和负屈服性。
力学性能
室温下致密AIN陶瓷的维氏硬度为12GPa,莫氏硬度为7~8,杨氏模量为308GPa,抗弯强度可达350MPa。室温强度降低约20%,而热压Si3N4、Al2O3一般降低50%。
化学性质
AIN具有优良的耐高温腐蚀性能,不被铝、铜、银、铅、镍等多种金属润湿,在砷化镓等一些熔盐中也能稳定存在;AIN吸湿性强,易与空气中的水蒸气发生反应;在空气中,AIN的起始氧化温度为700~800℃,常压下,AIN在2260-2500℃不熔化但热分解。
其他性能
蓝光及紫外区具有透光性、良好的抗电磁辐射和电子、离子轰击性能,是已报道的相关材料中表面声波传播速度最高的材料。

氮化铝陶瓷板
氮化铝的应用
在民用领域,氮化铝已广泛应用于集成电路、汽车、高铁、电力、半导体等领域,如集成电路基板、IGBT控制模块、晶圆加工用静电吸盘、大功率LED散热器等。同时还适合制作耐热材料、薄膜材料、复合材料等。
在军事领域,氮化铝已应用于航空航天、国防武器、微波雷达等,如船舶导航系统、导弹定位系统、地面雷达系统等。
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氮化铝陶瓷环