AMB（活性金属钎焊）用于连接无法被“传统”钎焊润湿的陶瓷。
将钛等活性金属添加到钎焊合金中，以实现与母陶瓷表面的化学反应。
由于 Al2O3（7.1 ppm/K）、Si3N4（2.6 ppm/K）和 AlN（4.7 ppm/K）的热膨胀系数接近硅（4 ppm/K），因此直接键合铜 (DBC) 和 AMB 是用于此类组件的裸片坚固封装的合适基板。
AMB 是一种有前途的厚膜技术，可应用于电力电子、汽车电子、家用电器、航空航天等。
INNOVACERA 提供定制化陶瓷基板的DBC、DPC、AMB技术，欢迎咨询更多。
活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板
Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP（冷等静压）成型3种方式制成，并在1800～2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99％，一般如果直径尺寸大于3mm，我们会选择CIP成型方式。
Innoveracera的氮化硼粉末采用进口硼酸与三聚氰胺高温反应合成，部分规格氮化硼粉末采用其他优质原料合成。氮化硼（BN）粉末具有杂质少、纯度高、结晶性好、粒径可调、品种多样等优点。Innovacera开发的氮化硼（BN）粉末有单晶片状粉末（0.5μm–100μm）和纳米级球形团聚体两种。
TO-3P 陶瓷散热器（片）和导热垫旨在为先进的热管理解决方案（如高功率应用，特别是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块）提供卓越的热性能。这些散热器具有散热、电气绝缘和机械稳定性的优点，可延长电力电子设备在恶劣环境下的使用寿命。
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