在 H2 环境中进行钎焊(例如银)时,需要极高的耐热性和耐能量循环性,具有独特的耐高低温冲击性,AMB 基板 成为新一代半导体 (SIC) 和新型大功率电子设备的理想封装材料,即使超过 1000 次循环,它仍保持良好的热稳定性。
铜厚度为 0.1-0.5mm,提供非常高的载流量和非常好的散热性。这使得它成为以下应用的首选材料:
-IGBT
-电源模块
-汽车电力电子
-可再生能源
-空间和工业
-其他
在 H2 环境中进行钎焊(例如银)时,需要极高的耐热性和耐能量循环性,具有独特的耐高低温冲击性,AMB 基板 成为新一代半导体 (SIC) 和新型大功率电子设备的理想封装材料,即使超过 1000 次循环,它仍保持良好的热稳定性。
铜厚度为 0.1-0.5mm,提供非常高的载流量和非常好的散热性。这使得它成为以下应用的首选材料:
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用于霍尔效应推进器等离子室的氮化硼陶瓷组件 霍尔效应推进器 (HET) 是一种电推进装置,它通过电离氙或氪等推进剂并加速离子来为航天器产生推力,该过程由交叉电场和磁场调节。
氮化硅线圈支架广泛用作地下采矿、地质勘探等领域的传感器。
英诺华提供一系列的高压陶瓷馈通, 电压5、10、20kv直流馈通,最高可达120KV。