在 H2 环境中进行钎焊(例如银)时,需要极高的耐热性和耐能量循环性,具有独特的耐高低温冲击性,AMB 基板 成为新一代半导体 (SIC) 和新型大功率电子设备的理想封装材料,即使超过 1000 次循环,它仍保持良好的热稳定性。
铜厚度为 0.1-0.5mm,提供非常高的载流量和非常好的散热性。这使得它成为以下应用的首选材料:
-IGBT
-电源模块
-汽车电力电子
-可再生能源
-空间和工业
-其他
在 H2 环境中进行钎焊(例如银)时,需要极高的耐热性和耐能量循环性,具有独特的耐高低温冲击性,AMB 基板 成为新一代半导体 (SIC) 和新型大功率电子设备的理想封装材料,即使超过 1000 次循环,它仍保持良好的热稳定性。
铜厚度为 0.1-0.5mm,提供非常高的载流量和非常好的散热性。这使得它成为以下应用的首选材料:
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Innovacera TO-220 陶瓷绝缘体安装在 TO-220 封装功率晶体管和散热器之间,尺寸为 14 x 20 x 1 毫米(0.55 x 0.79 x 0.04 英寸),安装孔直径可为 3.8 毫米或 5 毫米,也可提供无孔和定制孔。每袋 100 个包装,TO-220 陶瓷绝缘体散热垫广泛应用于半导体器件、大功率设备、集成电路、ICMOS 管、IGBT 贴片绝缘、三极管、高频电源通信、机…
Innovacera TO-247 陶瓷绝缘片旨在优化分立半导体(包括 MOSFET、IGBT 和晶体管)的热管理。TO-247 陶瓷绝缘片是一款高性能导热界面产品,由氧化铝陶瓷 (Al₂O₃) 和 氮化铝陶瓷 材料制成,提供两种类型:带 3.7 毫米孔的散热垫和不带孔的散热垫。
Innovacera氮化硅研磨介质球采用滴定、滚压和CIP(冷等静压)成型3种方式制成,并在1800~2100℃下进行气压烧结。氮化硅的纯度为99%,一般如果直径尺寸大于3mm,我们会选择CIP成型方式。