离子源用氮化铝/氮化硼复合BN-AlN陶瓷部件

BN-AlN陶瓷是由氮化硼（BN）和氮化铝（AIN）粉末烧结而成。它具有优异的电绝缘性、热导率、高强度、抗热冲击性以及对卤素气体等离子体的强抵抗性，因此具有广泛的应用范围，包括半导体生产设备的组件和需要有效散热的组件。

离子源是一种在真空室中产生原子和分子离子的装置。氮化铝/氮化硼复合材料具有优异的电绝缘性、热导率、对真空的密封能力，并且不会释放出太多气体。因此它在离子源中起着散热器和传热板的作用。

材料优势：

• 机械强度高。
• 热导率高。
• 热膨胀率低。
• 介电损耗低。
• 电绝缘性优良。
• 耐腐蚀性强——不被熔融金属浸润。
• 可加工性优良——BN-AlN 可加工成高精度复杂形状。
• 对真空具有优良的密封能力，不会释放太多气体。
• 高频波特性，可让可见红外光轻松穿过。

材料属性：

应用

• 散热器
• 真空元件
• 需要低介电常数和耗散因数的元件
• 需要低热膨胀系数的零件和元件
• 需要电绝缘和散热的电子元件
• 霍尔效应推进器的电力推进放电通道

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