BN-AlN陶瓷是由氮化硼（BN）和氮化铝（AIN）粉末烧结而成。它具有优异的电绝缘性、热导率、高强度、抗热冲击性以及对卤素气体等离子体的强抵抗性，因此具有广泛的应用范围，包括半导体生产设备的组件和需要有效散热的组件。
离子源是一种在真空室中产生原子和分子离子的装置。氮化铝/氮化硼复合材料具有优异的电绝缘性、热导率、对真空的密封能力，并且不会释放出太多气体。因此它在离子源中起着散热器和传热板的作用。
材料优势：
- 机械强度高。
- 热导率高。
- 热膨胀率低。
- 介电损耗低。
- 电绝缘性优良。
- 耐腐蚀性强——不被熔融金属浸润。
- 可加工性优良——BN-AlN 可加工成高精度复杂形状。
- 对真空具有优良的密封能力，不会释放太多气体。
- 高频波特性，可让可见红外光轻松穿过。
材料属性：
| 属性 | 单位 | BAN |
| 主要成分 | / | BN+ALN |
| 颜色 | / | 灰绿色 |
| 密度 | g/cm3 | 2.8~2.9 |
| 三点弯曲强度 | MPa | 90 |
| 抗压强度 | MPa | 220 |
| 热导率 | W/m·k | 85 |
| 热膨胀系数（20-1000℃） | 10-6/K | 2.8 |
| 最高使用温度 | 大气中 ℃ | 900 |
| 惰性气体中 ℃ | 1750 | |
| 高真空中 ℃ | 1750 |
应用
- 散热器
- 真空元件
- 需要低介电常数和耗散因数的元件
- 需要低热膨胀系数的零件和元件
- 需要电绝缘和散热的电子元件
- 霍尔效应推进器的电力推进放电通道
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