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氮化铝陶瓷的工业应用及性能 Company
什么是氮化铝 (AlN)? 氮化铝 (AlN) 是一种有趣的材料。如果需要高导热性,它是最好的材料之一。结合其出色的电绝缘性,氮化铝是许多电气和电子应用的理想散热器材料。 氮化铝的特性 氮化铝是一种(主要)共价结合的材料,具有六方晶体结构,与一种称为纤锌矿的多型硫化锌同质异形。该结构的空间群为P63mc。 该材料在惰性气氛中在极高的温度下稳定。在空气中,表面氧化发生在700°C以上,即使在室温下也能检测到5-10nm的表面氧化层。该氧化层在高达1370°C的温度下…
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氮化铝陶瓷的主要应用 Company
氮化铝是一种综合性能优异的新型陶瓷材料,具有优异的导热性和抗热震性,可靠的电绝缘性。 由于为液相烧结,晶界处无第二相,晶体结构十分致密,具有良好的抗等离子腐蚀性能。介电常数和介电损耗小,无毒及热膨胀系数与硅匹配等一系列优异特性,被认为是新一代高集成半导体衬底和电子器件封装的理想材料,受到国内外的广泛关注。 主要特点: 导热系数高 抗热震性优良 绝缘性优良,>15KV/mm 耐等离子蚀刻 抗冲击性好 无毒 机械性能优良 …
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AlN(氮化铝)——一种绝缘高导热材料 Company
氮化铝是先进陶瓷中的功能陶瓷之一,具有良好的热机械性能和电性能:导热率高、介电常数低、线性膨胀系数与硅匹配良好、电绝缘性好、密度低、无毒、机械强度高等。随着微电子技术的快速发展,用作基体或封装材料的高T/C AIN越来越受到人们的关注。 随着电子元件的发展,迫切需要更小但性能更好、能耗更低的元件。高密度、高功率、高频率的元件可能产生高达100W/cm2的热量,例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光元件。这些元件工作的时间越长,积累的热量就越多。由于封装空间有限,如果热量不能…
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热压氮化铝陶瓷概述 Company
热压氮化铝陶瓷用于需要高电阻率和优异导热性的应用中。热压 AlN 的应用通常涉及严格或磨蚀性环境和高温热循环。 以下是压制氮化铝的特性。 特性 单位 值 抗弯强度,MOR (20 °C) MPa 300-460 断裂韧性 MPa m1/2 2.75-6.0 热导率 (20 °C) W/m K 80-100 热膨胀系数 1 x 10-6/°C 3.3-5.5 最高使用温度 °C 800 …
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电动汽车上高导热界面材料 Company
电动汽车发展的势头非常强劲,2021年电动汽车年渗透率已经超过12%,直接比去年增长近一倍。 因此,为了保证电动汽车核心部件“三电”和充电桩的安全性能和使用寿命,需要及时有效地释放热量,这就是热管理材料,而热界面材料(Thermal Interface Materials,TIM)在热管理中起着非常关键的作用。 常见的热界面材料多以树脂为基料,根据需要添加导热填料。树脂基体的导热性能较差,需要填充导热填料才能有效调节其导热性能,满足使用要求。 填料的种类可分为金…
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为什么氮化铝(AlN)陶瓷是基板和热管理应用的首选? Company
氮化铝陶瓷 (AlN) 是一种特殊的陶瓷材料,兼具高导热性和高电阻率。只有少数陶瓷具有高导热性:例如氧化铍 (BeO) 和立方氮化硼 (c-BN) 几乎是唯一的其他例子。然而,由于 BeO 粉末的毒性,其使用受到限制,而 c-BN 很难生产。 此外,该材料适合用厚膜和薄膜技术进行进一步加工,氮化铝是电信技术应用的理想材料。 因此,氮化铝陶瓷被用作半导体的基板,以及大功率电子零件、外壳和散热器。
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陶瓷通孔 (TCV) 互连技术简介 Company
陶瓷通孔(TCV)互连技术是高密度三维封装的一种创新方法。传统的陶瓷基板金属化方案经常遇到孔内液体残留、附着力差、铜填充不完整等问题。而TCV技术采用铜浆填充陶瓷通孔的方法,工艺简单、填充完整、附着力强、成本低廉。 Innovacera采用微纳复合材料组成的烧结铜浆,具有良好的导电性和可靠性。通过加入高温粘结剂和特殊填料,可以进一步调节铜通孔和界面的热膨胀系数,实现高可靠性的铜通孔连接。 TCV工艺流程图 工艺…
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为什么加工氮化铝陶瓷具有挑战性? Company
氮化铝陶瓷主要成分为氮化铝,具有导热率高、绝缘性好、介电常数低等优异性能。氮化铝的晶体结构由四面体单元组成,形成共价键化合物,在六方晶系中呈现尖晶石型结构。氮化铝陶瓷的化学成分为65.81%的铝和34.19%的氮,密度为3.261g/cm3,外观为白色或灰白色,单晶为透明无色。该陶瓷在标准压力下的升华分解温度为2450°C,非常适合高温应用。此外,它们的热膨胀系数范围为4.0至6.0 * 10^-6/°C,其多晶形式的热导率高达260W/(m·K),比氧化铝高出5-8倍,因此在高达2200°C的…
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氮化铝陶瓷的特性及应用 Company
氮化铝陶瓷具有优良的导热性能、可靠的电绝缘性、较低的介电常数和介电损耗、无毒且热膨胀系数与硅相匹配,是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料,还可以用作热交换器、压电陶瓷及薄膜的导热填料。 AlN陶瓷可用作覆铜基板、电子封装材料、超高温器件封装材料、大功率器件平台材料、高频器件材料、传感器用薄膜材料、光电子用材料、涂层及功能增强材料。 应用: 1.散热基板及电子器件封装 适用于封装混合电源开关、微波真空管外壳,也可作为大规模集成电路的基板…
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什么是氮化铝陶瓷 Company
氮化铝 (AIN) 以其高导热性和出色的电绝缘性能而闻名。它是用于各种电气设备的常见陶瓷材料。除了热膨胀系数和电绝缘能力外,氮化铝陶瓷 还能抵抗大多数熔融金属,例如铜、锂和铝。 氮化铝陶瓷的特性 氮化铝具有多种特性,使其适用于各种工业应用: 高导热率(170 W/mK 以上)。这接近 BeO 和 SiC 的值,是氧化铝 (Al2O3) 的五倍多。 它的热膨胀系数为 4.5 *10-6°C,与硅 (3.5-4 *10-6°C) 相同。 它具有良好的透光性能 它无毒。 良好的导…