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关于氮化铝的问答 Company
1. 不同应用的一般情况 * 高亮度大功率LED * 微波无线通信和半导体设备 * 汽车 * 能源 * IGBT模块 * IPM模块 2. 您有不同应用的参考资料吗? 我们没有详细信息。 随着电子元件的发展,对更小、性能更好、能耗更低的元件的需求日益迫切。高密度、高功率和高频元件的发热量可能高达100W/cm²,例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光器元件。这些元件工作时间越长,积累的热量就越多。由于封装空间有限,如果热量不能及时散热,将严重影响元件的寿命、性能…
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氮化铝基板的应用 Company
氮化铝制品因其优异的导热性、高绝缘性以及接近硅的热膨胀率,作为新一代高导热材料,正受到越来越多的关注。 特点: 高热导率:约为氧化铝热导率的7倍 热膨胀率:热膨胀接近硅,大硅片安装可靠性及耐热循环 电气特性:高绝缘性,低介电系数 机械性能:优于氧化铝机械性能 耐腐蚀性:比熔融金属耐腐蚀性更强 纯度:杂质含量低,无毒,高纯度 应用: 大功率晶体管模块基板 高频器件基板 转向模块散热绝缘板 半导体激光器及发光二极…
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氮化铝陶瓷的主要应用 Company
氮化铝是一种综合性能优异的新型陶瓷材料,具有优异的导热性和抗热震性,可靠的电绝缘性。 由于为液相烧结,晶界处无第二相,晶体结构十分致密,具有良好的抗等离子腐蚀性能。介电常数和介电损耗小,无毒及热膨胀系数与硅匹配等一系列优异特性,被认为是新一代高集成半导体衬底和电子器件封装的理想材料,受到国内外的广泛关注。 主要特点: 导热系数高 抗热震性优良 绝缘性优良,>15KV/mm 耐等离子蚀刻 抗冲击性好 无毒 机械性能优良 …
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AlN(氮化铝)——一种绝缘高导热材料 Company
氮化铝是先进陶瓷中的功能陶瓷之一,具有良好的热机械性能和电性能:导热率高、介电常数低、线性膨胀系数与硅匹配良好、电绝缘性好、密度低、无毒、机械强度高等。随着微电子技术的快速发展,用作基体或封装材料的高T/C AIN越来越受到人们的关注。 随着电子元件的发展,迫切需要更小但性能更好、能耗更低的元件。高密度、高功率、高频率的元件可能产生高达100W/cm2的热量,例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光元件。这些元件工作的时间越长,积累的热量就越多。由于封装空间有限,如果热量不能…
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AIN晶圆 – 最受欢迎的陶瓷基板之一 Company
INNOVACERA 提供AlN 陶瓷基板。AlN 基板是最受欢迎的陶瓷基板之一,具有优异的耐热性、高机械强度、耐磨性和较小的介电损耗。AlN 基板的表面非常光滑,孔隙率低。氮化铝具有更高的热导率,与氧化铝基板相比,大约高 7 到 8 倍。AlN 基板是一种出色的电子封装材料。 INNOVACERA 提供适用于各种应用的 AlN 基板,包括薄膜和厚膜微电子、高功率和高频电路射频/微波元件以及电容器或电阻器,请联系我们获取更多陶瓷晶片产品信息。 AlN 晶圆特性: …
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HTCC(高温共烧陶瓷)简介 Company
什么是HTCC HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic)采用钨、钼、钼、锰等高熔点金属耐热浆料印刷在92~96%氧化铝流陶瓷生坯上,根据热电路设计要求,加入4~8%烧结剂再叠层多层。在1500~1600°C高温下烧成一体。 因此具有耐腐蚀、耐高温、寿命长、高效节能、温度均匀、导热性好、热补偿快等优点,且不含铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯、多溴二苯醚等有害物质,符合欧盟RoHS环保要求。 由于烧成温度高,HTCC不能采用金、银、铜等低熔点金…
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电子和技术领域的先进陶瓷 Company
氧化铝陶瓷 (Al₂O₃) 高级陶瓷用于电子和技术领域。它具有独特的性能,使其在电气和电子电路中发挥重要的绝缘、传感器、电阻、电容、磁性和电光作用。在本文中,我们将探讨高级陶瓷在电子和技术领域的应用。 1. 高级陶瓷在电子和技术领域的性能 高级陶瓷以其出色的电气和热性能而闻名。它们具有高导热性,使其成为散热器的理想选择,有助于散发电子元件的热量。它们还具有高介电强度,这使它们适用于电阻器、电容器和绝缘体等电子元件。 …
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氮化铝陶瓷的注射成型 Company
陶瓷注射成型(CIM)是一种制造复杂形状陶瓷零件的新兴技术,在复杂小零件制备方面具有无可比拟的独特优势。随着近年来世界范围内电子陶瓷产业化规模的不断扩大,CIM技术的诱人应用前景值得期待。该工艺主要包括材料制备、注射成型、脱脂、烧结等工序。 [caption id="attachment_24469" align="alignnone" width="640"] 氮化铝陶瓷的注塑成型[/caption] ① 材料制备。将可烧结陶瓷粉末与合适的有机载体(粘合剂)在一定温度下混合,以提供…
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AlN陶瓷材料作为覆铜基板材料的优势 Company
目前,高性能氮化铝陶瓷板在先进封装工艺中作为导热基板,在氮化铝上直接键合铜,进一步设计电路、表面贴装晶体管、功率二极管等。 AlN由于具有良好的热性能和电性能,逐渐成为此类基板设计的首选材料,可用作大功率器件的绝缘基板、VLSI的散热基板和封装基板等。 [caption id="attachment_23426" align="alignnone" width="547"] AlN陶瓷材料用作覆铜基板材料的优势[/caption] 氮化铝覆铜板具有氮化铝的导热性和机械强度,以及氮化铝…
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影响AlN陶瓷基板热导率的因素有哪些? Industry
首先我们来概述一下氮化铝陶瓷 氮化铝是一种共价键化合物,结构稳定,为六方纤锌矿结构,无其它同型物的存在。其晶体结构是以铝原子和相邻氮原子为结构单元经歧化反应生成的AlN4四面体;空间群为P63mc,属六方晶系。 氮化铝陶瓷的主要特点: (1)热导率高,为氧化铝陶瓷的5-10倍; (2)热膨胀系数(4.3×10-6/℃)与半导体硅材料(3.5-4.0×10-6/℃)相当; (3)力学性能好; (4)电性能优良,具有极高的绝缘电阻和较低的介电损耗; (5)可进行多层布线,实现封装的…