氮化铝(AlN)基板
氮化铝 (AlN) 晶体是一种以 [AIN4] 四面体为结构单元的共价键化合物,具有纤锌矿结构,属于六方晶系。
氮化铝 (AlN) 具有优异的绝缘性能和极高的导热性。此外,氮化铝还具有不易受到铝液、其他熔融金属以及砷化镓侵蚀的特性,尤其对熔融铝液具有优异的耐腐蚀性。
氮化铝衬底的优势
- 极高的导热性
- BeO 的无毒替代品
- 与 Si、GaN 和 GaAs 半导体类似的低热膨胀性
- 高介电强度
氮化铝 (AlN) 晶体是一种以 [AIN4] 四面体为结构单元的共价键化合物,具有纤锌矿结构,属于六方晶系。
氮化铝 (AlN) 具有优异的绝缘性能和极高的导热性。此外,氮化铝还具有不易受到铝液、其他熔融金属以及砷化镓侵蚀的特性,尤其对熔融铝液具有优异的耐腐蚀性。
以下是用于灌装机中加注消毒剂和杀菌剂的陶瓷计量泵的安全说明。
PBN 是一种特殊的陶瓷材料。其沉积过程如同“下雪”——将六边形的 PBN 平行滴在石墨材料上,直至达到一定厚度。冷却后,即成为 PBN 陶瓷部件。PBN 陶瓷广泛用于制作 VGF 坩埚、LEC 坩埚、MBE 坩埚、隔热板、合成舟皿以及用于制备 GaAs 单晶的 PBN 涂层产品。
陶瓷真空吸盘是一种利用纳米粉末制备的均匀固体或真空体。材料经过高温烧结,内部生成大量连通或封闭的陶瓷材料。
其材质为Al2O3或SIC,广泛应用于半导体和电子设备。
在这些应用中,它可以通过真空吸附固定半导体晶圆、玻璃基板材料和其他工作对象。
相比传统吸盘针对单一规格工件的特点,陶瓷真空吸盘的区域吸附功能有助于提高生产线的顺畅度和性能,并避免传统吸盘在工件(尤其是薄膜材料)上留下划痕和吸痕。
陶瓷真空吸盘除了用于吸附工件外,还可用于传输式气浮模块。即使是大片玻璃基板等工件,在运输和转运过程中,也能避免直接接触平台,从而避免污染物附着、应力、静电以及玻璃基板损坏。此外,多孔材料可以大大减少气体流量,达到气垫层气压均匀的效果,并保持一定的悬浮高度。
可加工玻璃陶瓷的连续使用温度为800℃,峰值温度为1000℃。其热膨胀系数与大多数金属和封接玻璃匹配。它具有良好的机械加工性能,可进行车、铣、刨、磨、镗、刻和螺纹加工。它还具有绝缘、无气孔、耐高低温、耐酸碱、抗热冲击等优点。
它广泛应用于核能、微波高真空绝缘、航空航天电气设备的高精度无磁骨架、电机的超高压绝缘以及强腐蚀环境下的结构件。在机械加工性能方面,它可以替代难以加工的氧化铝陶瓷和氮化硼陶瓷。
氧传感器是控制汽车尾气排放、减少汽车对环境的污染以及通过反馈信息改善汽车发动机燃油燃烧质量的关键部件。在倡导节能减排的今天,氧传感器将具有重要的意义。
氧传感器由内部陶瓷材料(称为二氧化锆)和多孔铂涂层组成,并由金属外壳保护。其工作原理基于陶瓷在高温下性质的变化,使氧气从空气中扩散出来。
它根据废气和外部空气中氧气浓度的差异进行工作,并产生50 mV至900 mV的电压。氧传感器的工作原理非常简单。通俗的说,它类似于电池。传感器内部的氧化锆元件的作用就如同电池中的电解液一样。其基本工作原理是在一定条件下利用高温和铂作为催化剂,利用氧化锆内外氧浓度的差异产生电位差,浓度差越大电位差越大。通过反馈电压和电位差来识别氧信号。车内主CPU会根据氧传感器的电压信号来控制空燃比,从而调整喷油脉冲宽度,起到定点喷油的作用,达到不浪费,节能减排的目的。
SEMICON 东南亚展是探索推动微电子技术进步和电子制造技术发展趋势的理想平台。
INNOVACERA 的各种产品广泛应用于半导体行业。因此,INNOVACERA 已加入 SEMICON 东南亚展。受新冠疫情影响,SEMICON 东南亚展延期,改为线上举办。 INNOVACERA 坚持参加 SEMICON 东南亚线上展会,我们的销售工程师 May Zhong 将于 8 月 21 日 14:45-15:05 在网络研讨会上进行演讲。
如果您感兴趣,可以提前在 https://store-sg.semi.org/products/webinar-meet-the-experts-2 网站注册,注册后系统会自动发送网络研讨会链接。您可以通过链接加入网络研讨会,观看直播。您也可以在电脑或手机上下载“gotowebinar”应用程序,注册并登录,填写相关信息。
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如果您错过了观看直播的时间,也可以登录账户观看录制文件。如果您对加入直播有任何疑问,请发送电子邮件至sales@innovacera.com。
A. 陶瓷加热器的操作和使用注意事项
B. 陶瓷加热器设置注意事项
C. 我方加热器缺陷问题的处理
氧化铝陶瓷加热元件
氮化硼呈六方结构,由于其润滑性、各向异性、耐热性和高导热性,有时也被称为白石墨。高导热性与低热膨胀性相结合,使其具有优异的抗热震性。热压、热解和热等静压三种工艺均可在极高的温度下使用。然而,在氧化性气氛中,最高使用温度为850-900°C。热压和热等静压氮化硼是通过粉末致密化制备的,而热解氮化硼是通过化学气相沉积 (CVD) 制备的,在超过 1800°C 的温度下沉积在石墨上。
氮化硼陶瓷坩埚在真空条件下的使用温度为 1800°C,在气氛保护条件下的使用温度为 2100°C。氮气或氩气气氛效果最佳,使用寿命最长。氮化硼坩埚耐热冲击,在 1500°C 下快速冷却不会开裂。在 1000°C 下出炉 20 分钟,吹气淬火数百次也不会开裂。
使用注意事项:
1. 空气中使用温度不得超过1000度,超过1000度氮化硼与氧气接触的表面会剥落。
2. 氮化硼易吸湿,坩埚不可存放在潮湿的地方,也不可水洗,可用砂纸直接擦拭或用酒精擦洗。
3. 氮化硼坩埚的应用方向
适用材料:
1. 黑色金属:铁、铜、铝、镍、镁、铋、锌等,合金:铁-钴-镍-硅-锆-铌
2. 常温下不与水或酸反应。与水煮沸,缓慢水解生成硼酸和氨。
3. 稀土元素、氮化物
不可用材料:
1. 三氧化二锑、七氧化三铬、三氧化钼、三氧化二砷、碳化钛等。
2. 高铅玻璃釉在空气中熔化温度为800-950摄氏度,会腐蚀氮化硼,但在氮气或惰性气体保护下不会发生反应。
3. 磷酸硼在1400摄氏度氮气中会腐蚀氮化硼,并与热的浓碱或熔融碱以及热氯气发生反应。
INNOVACERA 提供各种形状的陶瓷坩埚,欢迎垂询。
1. 不同应用的一般情况
* 高亮度大功率LED
* 微波无线通信和半导体设备
* 汽车
* 能源
* IGBT模块
* IPM模块
2. 您有不同应用的参考资料吗?
我们没有详细信息。
随着电子元件的发展,对更小、性能更好、能耗更低的元件的需求日益迫切。高密度、高功率和高频元件的发热量可能高达100W/cm²,例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光器元件。这些元件工作时间越长,积累的热量就越多。由于封装空间有限,如果热量不能及时散热,将严重影响元件的寿命、性能和可靠性。因此,在这些行业中引入良好的散热封装设计和高导热陶瓷材料至关重要。
3. 能否提供部分应用产品的图片?
* IGBT 模块
* 高亮度大功率 LED
汽车前照灯;工业照明;深紫外灯;LCD 背景光源;室内农业照明。
* 半导体设备组件
4. 你们有标准尺寸或类似的产品描述吗?
* ALN 基板提供常规尺寸
基板形状 | 尺寸范围 | 厚度 |
正方形 | ≤114mm | 0.17-2mm |
圆形 | ≤直径120mm | 0.25-2mm |
* ALN金属化HTCC产品
ALN金属化HTCC(高温共烧陶瓷)是一种高导热、高密度陶瓷基板/封装,其内部/表面均有设计好的电路。电路采用钨金属,绝缘基底采用ALN陶瓷。其工艺包括打孔、填孔、电路印刷、等静压层压、高温烧结等。氮化铝HTCC技术适用于高密度封装模块和组件,对减小模块尺寸、减轻重量,提高模块集成度具有重要意义。满足军事、电子、航空航天、导弹等军用电子设备对小型化、高性能、多功能、高可靠性和低成本的要求。
* AlN结构件/干压片
我们可根据客户设计提供AlN部件,以满足不同的应用需求。
5. 您是否已经向欧洲/德国供应过此材料?
是的。例如英国、德国、意大利