半导体

1. 不同应用的一般情况 * 高亮度大功率LED * 微波无线通信和半导体设备 * 汽车 * 能源 * IGBT模块 * IPM模块 2. 您有不同应用的参考资料吗？ 我们没有详细信息。 随着电子元件的发展，对更小、性能更好、能耗更低的元件的需求日益迫切。高密度、高功率和高频元件的发热量可能高达100W/cm²，例如高亮度LED、MOSFET、IGBT和激光器元件。这些元件工作时间越长，积累的热量就越多。由于封装空间有限，如果热量不能及时散热，将严重影响元件的寿命、性能…

目前，传统的绝缘材料存在不耐高温、纯度低、高温下会释放气体、韧性差、高温下不绝缘、易腐蚀等缺点。PBN 绝缘片可以解决这些问题。 特点： 1. 真空下可承受高达 2300°C 的高温，氨气气氛下可承受高达 2700°C 的高温； 2. 纯度高，高温下不会释放任何气体杂质（>99.99%）； 3. 韧性好； 4. 高温绝缘性能良好（体积电阻率3.11×1011 Ω•cm）； 5. 化学惰性强，耐酸、碱、盐及有机溶剂腐蚀； 6. c方向热导率低，可阻挡热量向下传导，减…

BN零件用于半导体设备上的绝缘、散热或晶体外延生长，例如PVD/CVD/MOCVD。 配套型号： BN-99、BN-ALN 优势： • 高电阻 • 耐高温 • 高抗电击穿性能 • 无污染 • 防腐 • 易于加工

氧化铝陶瓷是目前最坚固的陶瓷之一。氧化铝陶瓷具有优异的性能，使其成为结构、磨蚀和腐蚀环境中使用最广泛的陶瓷之一。此外，高纯度氧化铝陶瓷具有优异的电性能，是半导体腔体应用的首选材料之一。 广泛应用于半导体设备的腔体部件、晶圆传送部件、FPD制造设备部件以及耐热和电绝缘部件

热解氮化硼 (PBN) 产品的纯度极高，气态原料的纯度更容易控制。通常，PBN 产品的总杂质含量<100 ppm，这意味着纯度不低于 99.99%。这种高纯度 PBN 产品非常适合半导体行业和真空系统。 分子束外延（MBE）是当今世界最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一，是在适当的衬底和条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。 PBN坩埚是MBE工艺中蒸发元素和化合物的最佳容器。 以下是MBE技术的示意图。 注意： 分子束…

热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷，纯度为 99.99%，属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺生产，形成固体，所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。它是熔炉、电气、微波和半导体元件的理想材料。 热解氮化硼坩埚应用： 1. 半导体单晶和 III-V 化合物合成 2. 异形和定形石墨涂层 3. 用于合成 GaAs、GaP 单晶 4. 蒸发包括镓 (Ga) 和铝 (Al) 在内的多种材料，用于外延生长化合物半导体。

PBN 通常代表热解氮化硼，由一种称为 CVD 化学气相沉积的工艺生产，具有非常好的抗热冲击性。我们的热解氮化硼始终根据客户对形状和尺寸的具体要求制造。 PBN 对许多行业领域非常有吸引力，例如： 半导体 光伏 石墨涂层 晶体生长坩埚 OCVD (HB-LED) – 加热器组件 高温窑炉组件

陶瓷基板及封装用于高速化、高集成化的半导体封装、电子模块以及高精度、高灵敏度化的传感器模块。 这些应用所需的性能如下： · 尺寸稳定性和平整性 · 支持各种安装形式（引线接合、倒装芯片接合、SMT 等） · 线性膨胀系数接近硅 · 尺寸小，布线精细 · 频率特性 · 高可靠性，包括耐热性和耐湿性 INNOVACERA 提供以下陶瓷基板材料： 1) 96% Al2O3 陶瓷基板 2) 99.6% Al2O3 陶瓷基板 3) AlN 陶瓷基板 4) Si3N4…

磷化铟（InP）生长的关键材料是单晶——热解氮化硼（PBN） 自2002年以来，科学家们联合开发了一种新型半导体材料，可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟（InP）。 InP是一种重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点，与砷化镓半导体材料相比，具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。 InP单晶生长方法主要有高压液封…

PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解，具有纯度高，超过 99.99%，高温下不释放气体杂质等优良特性，这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。 热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性，经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制，而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中，并用厚泡沫保护。