氮化铝陶瓷

氮化铝 (AlN) 兼具高导热性和强电阻性，使 AlN 成为许多电子应用的绝佳解决方案。与大多数通常也具有隔热性的电绝缘材料不同。AlN 可使电气系统快速散热，以保持最高效率。 由于生产方法不同，氮化铝有两种，一种是直接烧结AlN，另一种是热压AIN，它们的颜色也不同，传统颜色为灰色，热压AIN为黑色。 氮化铝优点： 散热性好，热导率达170W/mK BeO的无毒替代品 热膨胀系数与Si、GaN和GaAs半导体相似 介电强度高 如果您有更多兴…

中国政府已将工业陶瓷列入国家十三五战略发展规划中的这些新材料产业，新材料产业是中国七大战略新兴产业之一，也是中国制造2025十大重点发展领域之一。中国政府首次建立了保险补偿机制，并在多项新材料上开展试点工作，首批使用新材料的企业是保险的受益者。旨在通过保险等方式对新材料应用风险控制和分担做出制度安排，突破新材料应用初期的市场瓶颈，激活下游产业对新材料产品的有效需求。此外，各级地方政府也纷纷出台扶持工业陶瓷产业发展的政策，加大对先进陶瓷产业链建设的支持力度，开放公共服务平台，支持工业陶瓷材…

氮化铝陶瓷 (AlN) 是一种特殊的陶瓷材料，兼具高导热性和高电阻率。只有少数陶瓷具有高导热性：例如氧化铍 (BeO) 和立方氮化硼 (c-BN) 几乎是唯一的其他例子。然而，由于 BeO 粉末的毒性，其使用受到限制，而 c-BN 很难生产。 此外，该材料适合用厚膜和薄膜技术进行进一步加工，氮化铝是电信技术应用的理想材料。 因此，氮化铝陶瓷被用作半导体的基板，以及大功率电子零件、外壳和散热器。

热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结，工艺难度比常压烧结大。氮化铝纯度可达98.5%（无烧结助剂），热压后密度可达3.3 g/cm3，热导率高，电绝缘性好，导热系数在90 W/(m·K)~210 W/(m·K)之间。   材料硬而脆，加工难度大，搬运或加工过程中易产生划痕，报废率高。     最薄厚度仅为0.75mm，加工难度也比较高。   热压氮化铝加热器盖的应用： - 半导体加热器盖 - 盖板及M…

氮化铝是一种非自然存在的人造晶体，具有六方晶系的纤维状红锌矿晶体结构，为共价键非常强的化合物，质轻、强度高、耐热性高、耐腐蚀性好，曾被用作熔炼铝的坩埚，也是一种性能优良的电子陶瓷材料。   氮化铝陶瓷具有高热导率、低膨胀系数、高强度、耐高温、耐化学腐蚀、高电阻率、低介电损耗等特点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料，是制造高热导率氮化铝陶瓷基板的主要原料。     氮化铝陶瓷基板优点： 1.导热性能优良 2.介电常数低 3.介电…

氮化铝陶瓷具有优良的导热性能、可靠的电绝缘性、较低的介电常数和介电损耗、无毒且热膨胀系数与硅相匹配，是新一代高集成度半导体基片和电子器件的理想封装材料，还可以用作热交换器、压电陶瓷及薄膜的导热填料。 AlN陶瓷可用作覆铜基板、电子封装材料、超高温器件封装材料、大功率器件平台材料、高频器件材料、传感器用薄膜材料、光电子用材料、涂层及功能增强材料。   应用：   1.散热基板及电子器件封装 适用于封装混合电源开关、微波真空管外壳，也可作为大规模集成电路的基板…

氮化铝是一种具有六方氮化硼结构的共价化合物。氮化铝具有一系列优良特性： 导热性能优异， 电绝缘性能可靠， 介电常数低， 介电损耗小， 无毒， 具有与硅相匹配的热膨胀系数。 氮化铝由于具有优异的导热性能和与硅相匹配的热膨胀系数，已成为电子领域备受关注的材料。 ALN材料不仅是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，而且可以用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，具有广阔的应用前景。 AlN的晶体结构决定了它优异的导热性能和绝缘性能。根据《…

关于热压氮化铝（AlN） 热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结而成，氮化铝纯度高达99.5%（不含任何烧结助剂），热压后密度可达3.3g/cm3，具有优良的导热性和较高的电绝缘性，导热系数可达90W/(m·k)~210W/(m·k)。 高温高压后氮化铝陶瓷机械强度和硬度均优于流延法、干压法和冷等静压法。 热压氮化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀，不会被各种熔融金属和熔融盐酸侵蚀。 氮化铝（AlN）的典型应用 冷却罩、磁共振成像设备 作为高频声表面波器件的基片、大尺寸大功…

氮化铝 (AIN) 以其高导热性和出色的电绝缘性能而闻名。它是用于各种电气设备的常见陶瓷材料。除了热膨胀系数和电绝缘能力外，氮化铝陶瓷 还能抵抗大多数熔融金属，例如铜、锂和铝。 氮化铝陶瓷的特性 氮化铝具有多种特性，使其适用于各种工业应用： 高导热率（170 W/mK 以上）。这接近 BeO 和 SiC 的值，是氧化铝 (Al2O3) 的五倍多。 它的热膨胀系数为 4.5 *10-6°C，与硅 (3.5-4 *10-6°C) 相同。 它具有良好的透光性能 它无毒。 良好的导…

氮化铝陶瓷坩埚由于其导热系数高（≥170W/m.k），可用于热传导达到加热效果，在电子设备中得到广泛的应用，如电子设备的气体雾化等。 氮化铝坩埚还可作为真空蒸发和金属冶炼的容器，特别适合用于铝的真空蒸发坩埚。 由于氮化铝陶瓷在真空中加热，蒸气压低，即使分解也不会对铝造成污染。 在半导体工业中，用氮化铝坩埚代替石英坩埚合成砷化物，可以完全消除Si对GaAs的污染，并可得到高纯度的产品。 [caption id="attachment_26512" align="alignnone"…