技术陶瓷部件是半导体制造设备不可或缺的一部分,技术陶瓷部件纯度高,微量金属含量低,这意味着它们可以构成 CVD、PVD、等离子蚀刻和离子注入的工艺室材料或内部工艺表面,其强介电性能非常有益,因此在半导体工业中得到广泛应用。
半导体行业使用先进的技术陶瓷,包括氧化铝陶瓷 (AL2O3)、氮化铝 (ALN)、多孔陶瓷、氮化硼 (BN)、热解氮化硼 (PBN) 和碳化硅 (SiC)。 PBN主要用于金属氧化物(MOCVD)沉积工具中的坩埚,主要的单晶生长方法是LEC和VGF,因此需要PBN LEC和VGF坩埚。PBN分子束外延(MBE)坩埚是当今世界上最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一。PBN坩埚是该工艺中蒸发元素和合成材料的最佳容器。蒸发坩埚周围的PBN环用于OLED设备。
更多用于半导体行业的陶瓷零件如下:
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用于 PVD 和 MOCVD 设备的氮化硼陶瓷绝缘体部件。 | 多孔陶瓷广泛用于真空卡盘。 | 用于 IC 封装的金属化陶瓷部件。 |
氧化铝陶瓷和氮化铝通常用于室内部的静电卡盘。Innovacera 制造用于末端执行器的陶瓷晶圆(通常称为机器人的手),陶瓷末端执行器具有良好的刚度和高强度,因此机器人手臂可以更快地稳定到最终位置。末端执行器构成机器人手臂的末端,用于在位置之间处理和移动半导体晶圆。
陶瓷材料的选择取决于其将要暴露的沉积化学性质。例如,如果使用等离子,则必须使用至少99.5%的氧化铝。等离子耐腐蚀是半导体制造设备中部件的主要特性。
氮化铝(AlN)是一种共价键化合物,具有六方纤锌矿结构,晶格参数a=3.114和c=4.986。颜色通常为灰色,是典型的III-V宽带隙半导体材料。
氮化铝陶瓷具有强度高、体积电阻率高、绝缘耐压高、热膨胀系数大、与硅匹配性好等特点。它们非常适合半导体基板、陶瓷电子基板和结构封装材料。在电子行业的潜力巨大。
Innovacera是一家成立于2012年的先进陶瓷元件制造商,在陶瓷行业拥有丰富的经验,由优秀的团队严格控制产品质量和检验。我们提供超出现有产品的定制解决方案。我们热忱欢迎客户建立合作关系,与我们共创美好未来。
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