氮化硼陶瓷坩埚

氮化硼的突出特点>
- 热膨胀系数好,抗热震性好。
导热系数是石英的10倍,可降低因温度急剧变化而破裂的风险。所以即使经过20~1200℃多次循环也没有问题。 - 氮化硼与酸、碱、玻璃、大部分金属均不发生反应,机械强度较低,仅略高于石墨,但在高温下没有荷重软化现象,可用一般金属加工机加工。适用于熔炼、蒸发金属坩埚、器皿、液态金属输送管道、铸钢模具等。
氮化硼坩埚的分类
- PBN坩埚
PBN坩埚无需经过传统的热压烧结工艺,也不需要添加任何烧结剂,纯度高(99.99%以上),真空下工作温度高达1800度,气氛保护下工作温度可达2100度(通常为氮气或氩气),多用于蒸发/分子束外延(MBE)/GaAs晶体生长。 - 烧结BN坩埚
烧结BN坩埚是以六方氮化硼与烧结助剂为原料,经成型后高温烧结而成。
具有良好的耐热性、热稳定性、热导率、高温介电强度。因此能抵抗大部分熔融金属的侵蚀。
烧结BN坩埚含有烧结助剂(1~6wt%),纯度不如PBN坩埚高。适合制作大尺寸坩埚。在氩气或氮气等惰性气体中使用最高温度为2800℃;在氧气中稳定性较差,只能在900℃以下使用。
氮化硼坩埚的应用
- 作为半导体制造工艺等严格环境条件下使用的材料,非常合适。 Ⅴ族半导体:砷化镓、磷化镓、磷化铟。
- 还可制作绝缘材料或各种加热器的玻璃器具、加热管套以及高温高频、高压散热材料。




半导体行业使用先进的技术陶瓷,包括氧化铝陶瓷 (AL2O3)、氮化铝 (ALN)、多孔陶瓷、氮化硼 (BN)、热解氮化硼 (PBN) 和碳化硅 (SiC)。 PBN主要用于金属氧化物(MOCVD)沉积工具中的坩埚,主要的单晶生长方法是LEC和VGF,因此需要PBN LEC和VGF坩埚。PBN分子束外延(MBE)坩埚是当今世界上最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一。PBN坩埚是该工艺中蒸发元素和合成材料的最佳容器。蒸发坩埚周围的PBN环用于OLED设备。


氧化铝陶瓷和氮化铝通常用于室内部的静电卡盘。Innovacera 制造用于末端执行器的陶瓷晶圆(通常称为机器人的手),陶瓷末端执行器具有良好的刚度和高强度,因此机器人手臂可以更快地稳定到最终位置。末端执行器构成机器人手臂的末端,用于在位置之间处理和移动半导体晶圆。
氮化铝(AlN)是一种共价键化合物,具有六方纤锌矿结构,晶格参数a=3.114和c=4.986。颜色通常为灰色,是典型的III-V宽带隙半导体材料。




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