热解氮化硼 (PBN) 板
PBN 通常代表热解氮化硼,由一种称为 CVD 化学气相沉积的工艺生产,具有非常好的抗热冲击性。我们的热解氮化硼始终根据客户对形状和尺寸的具体要求制造。
PBN 对许多行业领域非常有吸引力,例如:
- 半导体
- 光伏
- 石墨涂层
- 晶体生长坩埚
- OCVD (HB-LED) – 加热器组件
- 高温窑炉组件
PBN 通常代表热解氮化硼,由一种称为 CVD 化学气相沉积的工艺生产,具有非常好的抗热冲击性。我们的热解氮化硼始终根据客户对形状和尺寸的具体要求制造。
PBN 对许多行业领域非常有吸引力,例如:
自上世纪90年代以来,软磁材料的发展走过了辉煌的一页:非晶、纳米晶、金属玻璃软磁材料、磁粉芯、非晶微晶带材、软磁复合材料等越来越受到环境的重视,世界各国节能减排带来希望,软磁材料在汽车、新能源、信息、消费电子、电力电子等领域的小型化、高性能化具有重要意义,如果您正在寻找制造磁性合金粉末的材料,请随时联系我们获取氮化硼喷嘴。
氮化硼喷嘴采用真空热压烧结而成,材料结构细密,致密度高,耐冲刷、耐磨、耐金属腐蚀,使用过程中不开裂、不变形,是软磁材料粉末生产喷嘴的极佳选择。
磷化铟(InP)生长的关键材料是单晶——热解氮化硼(PBN)
自2002年以来,科学家们联合开发了一种新型半导体材料,可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟(InP)。
InP是一种重要的化合物半导体材料,是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点,与砷化镓半导体材料相比,具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。
InP单晶生长方法主要有高压液封直拉法(LEC)和垂直梯度凝固法(VGF),这两种单晶生长方法的关键容器是PBN坩埚。热解氮化硼(PBN)是一种特殊的陶瓷材料,由INNOVACERA公司在专用设备上采用化学气相沉积法生产。PBN坩埚具有纯度高、耐高温、耐酸、碱、盐和有机试剂,高温下与大多数熔融金属、半导体等材料不润湿、不反应等优点,是磷化铟单晶生长的最佳容器。
InP半导体材料具有宽带隙结构,电子穿过磷化铟材料的速度很快,这意味着用这种材料制成的器件可以放大更高频率或更短波长的信号。因此,用磷化铟芯片制成的卫星信号接收器和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率下,带宽很宽,受外界影响较小,稳定性高。因此,磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料,可能推动卫星通信产业向更高频段发展。
PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解,具有纯度高,超过 99.99%,高温下不释放气体杂质等优良特性,这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。
热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性,经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制,而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中,并用厚泡沫保护。
我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。
分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。
MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。
如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息,请立即联系我们。
氧化铝陶瓷(氧化铝或Al2O3)是一种出色的电绝缘体,也是最广泛使用的先进陶瓷材料之一。此外,它极其耐磨损和腐蚀,是一种只能通过金刚石磨削才能形成的工业陶瓷。熔点非常高,为2,072°C,而且非常坚硬。氧化铝组件可广泛应用于许多领域。例如。电子、泵部件和汽车传感器、工业工程等。
INNOVACERA 氧化铝包括多个等级:95% 氧化铝、99% 氧化铝、99.5% 氧化铝和99.9% 氧化铝。它们可以满足客户的不同需求。尺寸范围从 1 毫米到 500 毫米。
如果您对氧化铝感兴趣,请随时联系我们获取材料报告。
亲爱的合作伙伴,
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向您和您的家人致以最美好的祝愿。💏👭💕
INNOVACERA 团队
电动汽车发展的势头非常强劲,2021年电动汽车年渗透率已经超过12%,直接比去年增长近一倍。
因此,为了保证电动汽车核心部件“三电”和充电桩的安全性能和使用寿命,需要及时有效地释放热量,这就是热管理材料,而热界面材料(Thermal Interface Materials,TIM)在热管理中起着非常关键的作用。
常见的热界面材料多以树脂为基料,根据需要添加导热填料。树脂基体的导热性能较差,需要填充导热填料才能有效调节其导热性能,满足使用要求。
填料的种类可分为金属导热填料、碳基导热填料、无机导热填料三类,常见的金属导热填料主要有Al、Cu、Ag等,碳基导热填料主要有石墨、石墨烯、碳纳米管和碳纤维等。无机导热填料主要有氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)等。
PBN-PG-Heater-Element
高纯度、高性能热解氮化硼用作 PBN 加热元件的基材。通过 CVD 方法将热解石墨 (PG) 放置在 PBN 板的表面上,作为导体和加热器。
由于 PG 和 PBN 都非常纯净,并且在真空或惰性气体中非常稳定,因此 PBN-PG 加热元件非常耐用,并能保持腔体清洁。它可以在很短的时间内加热到1600°C,并且不会排放任何气体成分。这些加热元件是半导体行业和需要高温、高真空和高纯度应用的理想产品。
PBN/PG复合加热元件规格
尺寸 | 1″-4″ |
体积密度 | 2.15-2.19 g/cm3 |
最大工作温度 | 2400°C |
体积电阻率 (Ω·cm) | 3.11*1011 |
抗弯强度 (Mpa) | 243.63 |
热导率 (W/M·k) | 43.7-60 |
介电强度(室温)KV/mm | 56 |