热导率是衡量材料传递热量能力的指标。热导率高的材料可以有效地传递热量，并很容易从环境中吸收热量。热导体较差的材料会阻碍热流，从周围环境中缓慢获取热量。
下面列出了最重要的导热材料及其值。这些导热率值是平均值，因为导热率会因所用设备和测量环境的不同而变化。
导热材料：
1. 钻石 – 2000 – 2200 W/m•K
2. 银 – 429 W/m•K
3. 铜 – 398 W/m•K
4. 金 – 315 W/m•K
5. 碳化硅 – 270 W/m•K
6. 氧化铍 – 255 W/m•K
7. 铝 – 247 W/m•K
8. ALN-170W/m•K
氮化铝是一种综合性能优异的新型陶瓷材料，具有优异的导热性和抗热震性，可靠的电绝缘性。
ALN材料广泛应用于交通运输，如高速列车、新能源汽车、飞机、LED照明、电力、高压输电、智能电网、光伏、国防：武器、航空航天、工业、智能手机、计算机、通信等。
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热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷，纯度为 99.99%，属于六方氮化硼等级。它通过化学气相沉积工艺生产，形成固体，所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。它是熔炉、电气、微波和半导体元件的理想材料。
热解氮化硼坩埚应用：
1. 半导体单晶和 III-V 化合物合成
2. 异形和定形石墨涂层
3. 用于合成 GaAs、GaP 单晶
4. 蒸发包括镓 (Ga) 和铝 (Al) 在内的多种材料，用于外延生长化合物半导体。
氮化硼具有高强度、高熔点、高韧性、出色的抗热震性、出色的可加工性和低摩擦性，是雾化器喷嘴的理想材料。用于雾化工艺的 BN 喷嘴可确保连续流动，不会堵塞或破损。
INNOVACERA 提供以下不同等级的 BN 材料。金属粉末气体雾化的最佳选择应该是 BN99、BN-B 或 BN-D。
它是一种先进的陶瓷材料，熔点高，足够坚韧以防止开裂，具有很高的抗热震性，并且易于加工。此外，熔融金属不能“润湿”氮化硼的表面，这意味着它在雾化过程中不易堵塞。
在高真空下，氮化硼可以承受高达 1,750°C 的高温。气体氛围甚至可以将其推高至 1,900°C。这意味着氮化硼在大多数金属熔化过程中仍保持固态。氮化硼具有非常低的热膨胀。再加上高导热性，这确保了材料具有非常高的抗冲击性。它可以轻松承受雾化器内部温度的快速变化。它在热应力下不会破裂或开裂。
静电微孔陶瓷吸盘是深硅刻蚀机的关键部件，所采用的静电吸附技术是取代传统机械夹持和真空吸附方式的优势技术，在半导体、平板显示、光学等领域有着广泛的应用。
静电微孔陶瓷吸盘的特点：
1.可同时在大气和真空环境下使用；
2.可吸附导体、半导体、绝缘体、多孔材料；
3.简化夹持搬运机构，静电吸附能耗低；
4.吸附力均匀，吸附时不会出现局部受力；
5.对大面积薄膜支撑轻柔，吸附时不会出现划痕、褶皱；
6.可快速开合，且在物体背面不产生电位，不吸附周围灰尘。
应用领域：面板行业真空键合、半导体芯片封装、微电子集成电路、精密光学元件制造、太阳能光伏。
热解氮化硼 是一种六方氮化硼。它通过化学气相沉积工艺制成固体，所有氮化硼晶体都平行于蒸汽沉积的表面生长。
INNOVACERA 通过定制设计生产 PBN。厚度范围为 0.2 至 4 毫米。最大尺寸约为 150×150 毫米或直径 300 毫米。公差通常为 +/-0.05 毫米。如果您要求更高的公差，那么我们可以先评估您的设计。
PBN 的特点
* 良好的抗热冲击性
* 高绝缘电阻
* 不润湿
* 无毒
由于其特性，PBN 经常在真空环境中用作基板、绝缘板等。如果您正在寻找一种可以在真空或 MBE 系统中工作的材料，请随时联系我们获取 PBN。
PBN 通常代表热解氮化硼，由一种称为 CVD 化学气相沉积的工艺生产，具有非常好的抗热冲击性。我们的热解氮化硼始终根据客户对形状和尺寸的具体要求制造。
PBN 对许多行业领域非常有吸引力，例如：
自上世纪90年代以来，软磁材料的发展走过了辉煌的一页：非晶、纳米晶、金属玻璃软磁材料、磁粉芯、非晶微晶带材、软磁复合材料等越来越受到环境的重视，世界各国节能减排带来希望，软磁材料在汽车、新能源、信息、消费电子、电力电子等领域的小型化、高性能化具有重要意义，如果您正在寻找制造磁性合金粉末的材料，请随时联系我们获取氮化硼喷嘴。
氮化硼喷嘴采用真空热压烧结而成，材料结构细密，致密度高，耐冲刷、耐磨、耐金属腐蚀，使用过程中不开裂、不变形，是软磁材料粉末生产喷嘴的极佳选择。
磷化铟（InP）生长的关键材料是单晶——热解氮化硼（PBN）
自2002年以来，科学家们联合开发了一种新型半导体材料，可以使通信卫星在太空中以极高的速度传输数据。这种新材料被称为磷化铟（InP）。
InP是一种重要的化合物半导体材料，是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子和光电功能材料。磷化铟半导体材料具有电子极限漂移速度高、抗辐射性能好、热导率好等优点，与砷化镓半导体材料相比，具有击穿电场、热导率、平均电子速度高的特点。
InP单晶生长方法主要有高压液封直拉法（LEC）和垂直梯度凝固法（VGF），这两种单晶生长方法的关键容器是PBN坩埚。热解氮化硼（PBN）是一种特殊的陶瓷材料，由INNOVACERA公司在专用设备上采用化学气相沉积法生产。PBN坩埚具有纯度高、耐高温、耐酸、碱、盐和有机试剂，高温下与大多数熔融金属、半导体等材料不润湿、不反应等优点，是磷化铟单晶生长的最佳容器。
InP半导体材料具有宽带隙结构，电子穿过磷化铟材料的速度很快，这意味着用这种材料制成的器件可以放大更高频率或更短波长的信号。因此，用磷化铟芯片制成的卫星信号接收器和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率下，带宽很宽，受外界影响较小，稳定性高。因此，磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料，可能推动卫星通信产业向更高频段发展。
PBN 可在超高真空下加热至 2300°C 而不分解，具有纯度高，超过 99.99%，高温下不释放气体杂质等优良特性，这些特性使得 PBN 可以加工成各种形状。
热解氮化硼 (PBN) 因其高工作温度和真空特性，经常用于制作 MBE 设备中固定 Ta 丝的丝环。 INNOVACERA 可以根据尺寸进行定制，而灯丝环通常通过真空方式放在塑料袋中，并用厚泡沫保护。
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